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發布時間:2021-03-23 14:17  
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什么是化學氣相沉積?
化學氣相沉積是一種化工技術,該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相淀積是近幾十年發展起來的制備無機材料的新技術。化學氣相淀積法已經廣泛用于提純物質、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物,而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程準確控制。化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域。一.系統概況該系統主要用于常規尺寸樣片(不超過Φ6)的刻蝕,可刻蝕的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻膠、半導體材料、部分金屬等。
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化學氣相沉積的特點
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特點
1)在中溫或高溫下,通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。
2)可以在常壓或者真空條件下(負壓“進行沉積、通常真空沉積膜層質量較好)。
)采用等離子和激光輔助技術可以顯著地促進化學反應,使沉積可在較低的溫度下進行。
4)涂層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化,從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。
5)可以控制涂層的密度和涂層純度。
6)繞鍍件好。可在復雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合涂覆各種復雜形狀的工件。由于它的繞鍍性能好,所以可涂覆帶有槽、溝、孔,甚至是盲孔的工件。
7)沉積層通常具有柱狀晶體結構,不耐彎曲,但可通過各種技術對化學反應進行的氣相擾動,以改善其結構。
8)可以通過各種反應形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物涂層。
化學氣相沉積法在金屬材料方面的使用
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化學氣相沉積法生產幾種金屬薄膜
金屬薄膜因其有著較好的高導電率、強催化活性以及極其穩定引起了研究者的興趣。和生成金屬薄膜的其他方式相比,化學氣相沉積法有更多技術優勢,所以大多數制備金屬薄膜都會采用這種方式。沉積金屬薄膜用的沉積員物質種類比較廣泛,不過大多是金屬元素的鹵化物和有機化合物,比如COCl2、氯化碳酰鉑、氯化碳酰銥、DCPD化合物等等。由于反應氣體、反應產物和基體的相互擴散,可以得到附著力好的膜層,這對表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強膜是很重要的。
Goto 團隊在金屬薄膜用作電極材料上做了大量的工作。他們所使用的襯底材料有藍寶石、石英玻璃以及氧化釔穩定化的二氧化鋯(YSZ)等等。在成沉積時往裝置中通入氧氣是為了消除掉原料因熱分解產生的碳,并制備出更有金屬光澤的金屬薄膜,如若不然則得到的就是銥碳簇膜,也就是納米等級被晶碳層所包裹的銥顆粒。沉積在YSZ 上面的銥碳簇膜有著較好的電性能和催化活性。在比較低的溫度下,銥碳簇膜的界面電導率能達到純銥或者純鉑的百倍以上。金屬和炭組成的簇膜是一種輸送多孔催化活性強的簇膜,在電極材料上的使用在未來將很有潛力。如需了解更多化學氣相沉積的相關信息,歡迎關注沈陽鵬程真空技術有限責任公司網站或撥打圖片上的熱點電話,我司會為您提供專業、周到的服務。
化學氣相沉積法之所以得到發展,是和它本身的特點分不開的,其特點如下。
I) 沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜,也可以按要求制備多組分合金的薄膜,以及陶瓷或化合物層。
2) CVD反應在常壓或低真空進行,鍍膜的繞射性好,對于形狀復雜的表面或工件的深孔、細孔都能均勻鍍覆。
3) 能得到純度高、致密性好、殘余應力小、結晶良好的薄膜鍍層。由于反應氣體、反應產物和基體的相互擴散,可以得到附著力好的膜層,這對表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強膜是很重要的。
4) 由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點低得多,由此可以得到純度高、結晶完全的膜層,這是有些半導體膜層所必須的。
5) 利用調節沉積的參數,可以有效地控制覆層的化學成分、形貌、晶體結構和晶粒度等。
6) 設備簡單、操作維修方便。
7) 反應溫度太高,一般要850~ 1100℃下進行,許多基體材料都耐受不住CVD的高溫。采用等離子或激光輔助技術可以降低沉積溫度。
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