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物理氣相沉積技術(shù)基本原理可分三個工藝步驟：

(1)鍍料的氣化：即使鍍料蒸發(fā)，異華或被濺射，也就是通過鍍料的氣化源。

(2)鍍料原子、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞后，產(chǎn)生多種反應(yīng)。

(3)鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。

認(rèn)識PVD物理氣相沉積技術(shù)

物理氣相沉積技術(shù)工藝過程簡單，對環(huán)境改善，無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結(jié)合力強(qiáng)。該技術(shù)廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、光學(xué)、機(jī)械、建筑、輕工、冶金、材料等領(lǐng)域，可制備具有耐磨、耐腐飾、裝飾、導(dǎo)電、絕緣、光導(dǎo)、壓電、磁性、潤滑、超導(dǎo)等特性的膜層。

氣相沉積是一種在基體表面形成功能膜層的技術(shù)，它是利用物質(zhì)在氣相中產(chǎn)生的物理或(及)化學(xué)反應(yīng)而在產(chǎn)品表面沉積單層或多層的、單質(zhì)或化合物的膜層，從而使產(chǎn)品表面獲得所需的各種優(yōu)異性能。

氣相沉積作為一種表面鍍膜方法，其基本步驟有需鍍物料氣相化->輸運(yùn)->沉積。它的主要特點在于不管原來需鍍物料是固體、液體或氣體，在輸運(yùn)時都要轉(zhuǎn)化成氣相形態(tài)進(jìn)行遷移，終到達(dá)工件表面沉積凝聚成固相薄膜。

等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)原理是利用低溫等離子體（非平衡等離子體）作能量源，工件置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使工件升溫到預(yù)定的溫度，然后通進(jìn)適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在工件表面形成固態(tài)薄膜。它包括了化學(xué)氣相沉積的一般技術(shù)，又有輝光放電的強(qiáng)化作用。

對于需要更高的表面形態(tài)質(zhì)量的應(yīng)用（對于粗糙度，晶粒尺寸，化學(xué)計量和其他要求比沉積速率更重要的應(yīng)用），濺射工藝似乎是一種替代方法。由于在冷卻過程中隨著溫度或基材（聚合物）熔化溫度的降低而產(chǎn)生的應(yīng)力，沉積過程對某些應(yīng)用提出了溫度限制。這導(dǎo)致濺射工藝在PVD沉積技術(shù)中變得更加重要，同時又不會忘記基于濺射工藝的新技術(shù)的出現(xiàn)，以滿足不斷增長的市場需求。