鎂合金微弧氧化技術(shù)信息推薦,日照微弧氧化電源

溫度對(duì)微弧氧化的影響

       微弧氧化與陽(yáng)極氧化不同，所需溫度范圍較寬。一般為10—90度。溫度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。且溫度高，會(huì)形成水氣。一般建議在20—60度。由于微弧氧化以熱能形式釋放，所以液體溫度上升較快，微弧氧化過程須配備容量較大的熱交換制冷系統(tǒng)以控制槽液溫度。這從根本上克服了鋁、鎂、鈦合金材料在應(yīng)用中的缺點(diǎn)，因此該技術(shù)有廣闊的應(yīng)用前景。所以微弧氧化過程中一定要控制好溫度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化電源

微弧氧化抹的特點(diǎn)

       微弧氧化處理后的鋁基表面陶瓷膜層具有硬度高，耐蝕性強(qiáng)，絕緣性好，膜層與基底金屬結(jié)合力強(qiáng)，并具有很好的耐磨和耐熱沖擊等性能。微弧氧化的合適放電區(qū)間較窄，要求對(duì)放電后的電參數(shù)控制比較好，大電流、高電壓對(duì)供電電源提出了高要求，由于對(duì)微弧氧化本質(zhì)認(rèn)識(shí)限制，使得電源的設(shè)計(jì)及制造仍停留在經(jīng)驗(yàn)摸索層面上，帶有很大的盲目性。微弧氧化過程在微弧氧化處理過程中，待氧化試樣與電源正極相連，作為陽(yáng)極浸入電解液之中，不銹鋼電解槽作為陰極與電源負(fù)極相連。微弧氧化技術(shù)、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化電源

微弧氧化

       在微弧氧化過程中，化學(xué)氧化、電化學(xué)氧化、等離子體氧化同時(shí)存在,因此陶瓷層的形成過程非常復(fù)雜,至今還沒有一個(gè)合理的模型能全描述陶瓷層的形成。微弧氧化工藝將工作區(qū)域由普通陽(yáng)極氧化的法拉第區(qū)域引入到高壓放電區(qū)域，克服了硬質(zhì)陽(yáng)極氧化的缺陷，極大地提高了膜層的綜合性能。在相同的微弧電解電壓下，電解質(zhì)濃度越大，成膜速度就越快，溶液溫度上升越慢，反之，成膜速度較慢，溶液溫度上升較快。微弧氧化膜層與基體結(jié)合牢固，結(jié)構(gòu)致密，韌性高，具有良好的耐磨、耐腐蝕、耐高溫沖擊和電絕緣等特性。

微弧氧化

       微弧氧化，是在電解質(zhì)溶液中（一般是弱堿性溶液）施加高電壓（直流、交流或脈沖）在材料表面原位生長(zhǎng)陶瓷氧化膜的過程，該過程是物理放電與電化學(xué)氧化、等離子體氧化協(xié)同作用的結(jié)果。微弧氧化技術(shù)是在普通陽(yáng)極氧化技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，進(jìn)一步提高電壓，使電壓超出法拉第區(qū)，達(dá)到氧化膜的擊穿電壓，就會(huì)在陽(yáng)極出現(xiàn)火花放電現(xiàn)象，在材料表面形成陶瓷氧化膜，使等離子體氧化膜既有陶瓷膜的，又保持了陽(yáng)極氧化膜與基體的結(jié)合力。微弧氧化處理可在酸性和堿性電解液中進(jìn)行，但由于酸性電解液對(duì)環(huán)境污染性較大現(xiàn)已較少使用。