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電池片的檢驗

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務償還，返工，光伏模塊回收等。

背電場：

A 級：

背電場完整，厚薄均勻，允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 15% 。

新的標準：背電場完整，厚薄均勻，不允許有缺失

B 級：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 10% ，變色面積不超過背電場面積的 30% 。

新的標準：允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 15% 。

C 級：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 10% ，變色面積不超過背電場面積的 50% 。

新的標準：缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 50% 。

粗點：

粗點寬度≤ 0.18mm ，個數小于 2 個

新的標準：不允許有粗點

粗點寬度≤ 0.25mm ，個數小于 5 個

新的標準：允許有粗點，粗點寬度≤ 0.18mm ，個數小于 2 個

粗點寬度≤ 0.3mm ，個數小于 8 個

新的標準：當主柵線或副柵線有明顯粗細不均時，應用刻度顯微鏡進行查檢。

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1、   色差片是怎樣產生的？

這與化學氣相沉淀時間有關，時間長會發白，時間短會發黃

2、   光面片是怎樣產生的？

首先是因為片子本身就是光面片，其次就是在腐蝕中加入 NaOH 量過多

3、   光外形片是怎樣產生的？

單測單包（前道絲印也要單獨挑出，選擇合適的網板印制）

4、   絨面色斑是怎么來的？

一方面是硅片的表面存在一定的臟污在制絨時沒有清洗干凈，另一方面是我們的工藝衛生到位，手指印、吸盤印、化學品沒有處理干凈

5、   對未燒透的片子怎么處理？

硅片與硅片之間存在一定的厚度，如果在做薄片中間夾著厚片就會燒不透，燒結的溫度低了

電池片的制作工藝

PECVD

PE 目的

在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。

其化學反應可以簡單寫成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態薄膜。 PECVD 方法區別于其它 CVD 方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發和電離過程，生成活性很高的各種化學基團，因而顯著降低 CVD 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進行的 CVD 過程得以在低溫下實現。  

基本特征

1. 薄膜沉積工藝的低溫化（ < 450 ℃ ）。

2. 節省能源，降低成本。

3. 提高產能。

4. 減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減。

擴散方式

PE 設備有兩類：平板式和管式。

按反應方式分為：直接式（島津）和間接式（ Roth ＆ Rau  ）。

直接式：基片位于一個電極上，直接接觸等離子體。  

間接式：基片不接觸激發電極。 在微波激發等離子的設備里，等離子產生在反應腔之外，然后由石英管導入反應腔中。在這種設備里微波只激發 NH3 ，而 SiH4 直接進入反應腔。間接 PECVD 的沉積速率比直接的要高很多，這對大規模生產尤其重要。

電池片常見異常情況處理方法

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四、 鋁珠：

鋁珠產生的根本原因是過燒，鋁的熔點是660℃，當鋁受熱超過這一溫度時，鋁顆粒熔化形成了鋁珠。通常，燒結爐的設置溫度都遠高于這一溫度，這里所說的660℃是指電池片表面實際感受的溫度，設置的溫度雖高，由于燒結爐帶速很快，鋁層實際感受到的溫度是遠低于設置溫度的。

解決這一問題的辦法是降下燒結區溫度，或是加快燒結爐的帶速，減少熱量的給予。此法效果非常明顯，鋁珠可得到有效控制。另一方面過分降溫會損失電池片的電性能數據，那么降到什么程度呢，我們的經驗是，降溫到電池片背面手感略微粗糙即可。

五、 鋁刺：

1、 背場印刷表面不均勻:檢查刮條的平整度；

2、 燒結網帶不潔凈：清洗網帶或對忘帶進行打磨；

3、 燒結網帶抖動嚴重：由設備人員來調整網帶；

4、 燒結溫度過高：不影響電性能的情況下降下燒結溫度；