氧化鋅晶體公司-品類齊全「合肥合瑞達」

在各種具有四面體結構的半導體材料中，氧化鋅有著高的壓電張量。該特性使得氧化鋅成為機械電耦合重要的材料之一。改變正交表中的四個因素（煅燒時間、分散介質、鋅銨比和煅燒溫度），氧化鋅的粒徑和形貌不斷變化，但晶型保持不變。助熔劑法是利用助熔劑使晶體形成溫度較低的飽和熔體,通過緩慢冷卻或在恒定溫度下通過蒸發(fā)熔劑,使熔體過飽和而結晶的方法。

氧化鋅（ZnO）單晶是具有半導體、發(fā)光、壓電、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，也是移動通訊基片材料和閃爍材料。ZnO是一種典型的寬帶隙半導體材料,高質量ZnO晶體的生長具有非常重要的研究意義。目前,ZnO晶體的生長方法主要有氣相法,水熱法和助熔劑法。改變正交表中的四個因素（煅燒時間、分散介質、鋅銨比和煅燒溫度），氧化鋅的粒徑和形貌不斷變化，但晶型保持不變。

氧化鋅晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能Ⅱ-Ⅵ族半導體材料,具有優(yōu)良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。氧化鋅（ZnO）單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結構的半導體，其可直接躍遷，禁帶寬度(Eg 3. 37eV)大。氧化鋅的熱穩(wěn)定性和熱傳導性較好，而且沸點高，熱膨脹系數低，在陶瓷材料領域有用武之地。

氧化鋅其他一些值得注意的作用還包括生產油漆，防腐蝕涂料，潤滑劑，粘合劑，電池，阻燃劑，密封劑，塑料，陶瓷，水泥和玻璃制造等。氧化鋅（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族纖鋅礦結構的半導體材料，禁帶寬度為3.37eV；另外，其激子束縛能(60meV)比GaN(24meV)、ZnS(39meV)。氧化鋅（ZnO）單晶是具有半導體、發(fā)光、壓電、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，也是移動通訊基片材料和閃爍材料。