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反應性離子刻蝕

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反應性離子刻蝕 （reaction ionetching；RIE）是制作半導體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護膜時，利用反應性氣體的離子束，切斷保護膜物質(zhì)的化學鍵，使之產(chǎn)生低分子物質(zhì)，揮發(fā)或游離出板面，這樣的方法稱為反應性離子刻蝕。

離子束刻蝕機

具有一定能量的離子束轟擊樣品表面，把離子束動能傳給樣品原子，使樣品表面的原子掙脫原子間的束縛力而濺射出來，從而實現(xiàn)刻蝕目的。這是純粹的物理濺射過程。

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離子束刻蝕

離子束刻蝕技術是近年來發(fā)展起來的一種微細加工技術，它利用反應離子束轟擊團體表面時發(fā)生的濺射效應和化學反應剝離加工工作上的幾何圖形。具有極高的分辨率，能夠控制槽深和槽壁角度，表面應力小。反應離子束刻蝕技術已有效地用于研究和制造大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路，聲表面波器件，磁泡存儲器，微波器件，集成光路，超導器件，閃爍光柵等。