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發布時間：2021-01-21 21:39
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ICP刻蝕機簡介
以下是沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您一起分享的內容，沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業生產化學氣相沉積，歡迎新老客戶蒞臨。
一．系統概況
該系統主要用于常規尺寸樣片（不超過Φ6）的刻蝕，可刻蝕的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、
硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻膠、半導體材料、部分金屬等。設備具有選擇比高、刻
蝕速率快、重復性好等優點。具體描述如下：
1.系統采用單室方箱式結構，手動上開蓋結構；
2.真空室組件及配備零部件全部采用鋁材料制造，真空尺寸為400mm×400×197mm，
內腔尺寸Ф340mm×160mm；
3.極限真空度：≤6.6x10-4 Pa (經烘烤除氣后，采用FF160/600分子泵抽氣)；
系統真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；
系統從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，20分鐘可達到（采用分子泵抽氣)；
停泵關機12小時后真空度：≤5 Pa；
4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進氣方式；
5.樣品水冷：由循環水冷水機進行控制；
7.ICP頭尺寸：340mm mm，噴淋頭與樣品之間電極間距50mm；
8. 沉積工作真空：1-20Pa；
9. 氣路設有勻氣系統，真空室內設有保證抽氣均勻性抽氣裝置；
10. 射頻電源：2臺頻率 13.56MHz，功率600W，全自動匹配；
11. 6路氣體，共計使用6個質量流量控制器控制進氣。
氣體：氦氣/氧氣/四氟化碳/六氟化硫
12. 刻蝕速率
SiO2：≥0.5μm/min
Si：≥1μm/min
光刻膠：≥1μm/min
13. 刻蝕不均勻性：
優于±5%（Φ4英寸范圍內）
優于±6%（Φ6英寸范圍內）
14. 選擇比
CF4的選擇比為50,
化學氣相沉積的分類
化學氣相沉積的方法很多，如常壓化學氣相沉積(Atmospheric pressure CVD，APCVD)、低壓化學氣相沉積(Low pressure CVD，LPCVD)、超高真空化學氣相沉積(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、激光化學氣相沉積(Laser CVD，LCVD)、金屬有機物化學氣相沉積(metal-organic CVD，MOCVD)，等離子體增強化學氣相沉積（Plasma enhanced CVD，PECVD）等。化學氣相沉積法常見的使用方式是在某個晶體襯底上生成新的外延單晶層，開始它是用于制備硅的，后來又制備出了外延化合物半導體層。
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等離子體化學氣相沉積
沈陽鵬程真空技術有限責任公司——專業脈沖激光沉積供應商，我們為您帶來以下信息。
等離子體化學氣相沉積簡稱PCVD，是一種用等離子體激發反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。等離子體化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應氣體，利用等離子體放電，使反應氣體激發并實現化學氣相沉積的技術。所有這些因素都對終點檢測技術本身及其測量結果的可靠性提出了更加嚴格的要求。
