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發布時間：2020-12-07 14:45
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脈沖激光沉積介紹
脈沖激光沉積系統具有獨特的優越性。它可以把激光燒蝕技術和我們所擁有的其他沉積技術（如RF源）集成于一臺設備上。可以生長各種可能的材料。
● 配有6個旋轉靶臺，實現多層薄膜結構生長。
● 可與準分子激光和Yag激光相連。
● 在線監控儀器做為可選件，為客戶提供高質量的工藝信息反饋。
● 裝載室不但可以裝取樣品，還可以與其他生長設備或分析設備相連。
應用
● 多元素復合氧化物
● 高溫超導材料
● 磁性材料、金屬材料
● 低蒸汽壓材料
● MEMS
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脈沖激光沉積(PLD)簡介
隨著新型氧化物/氮化物的研究和發展，用于沉積它們的外延生長設備：脈沖激光沉積(PLD)和由其衍生的生長技術也越來越受到科研工作者的重視和青睞。PLD是近年來發展起來的一種真空物理沉積工藝，具有襯底溫度較低，而且采用光學系統、非接觸加熱和避免不必要的玷污等特點。PLD還有一個很大的優點，即能夠通入較高的氧分壓(1 ~ 50 mTorr)，特別適于氧化物的生長。但是PLD方法無法準確控制膜厚，不可能制備原子層尺度的超薄型薄膜和超晶格材料。
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脈沖激光沉積系統(PLD)
技術參數：
1. 靶：數量6個，大小1-2英寸，被激光照射時可自動旋轉，靶的選擇可通過步進電機控制。
2. 基板：采用適合于氧氣環境鉑金加熱片，大小2英寸，加熱溫度可達1200攝氏度，溫度差<3%，加熱時基板可旋轉，工作環境最大壓力是300mtorr。
3. 基板加熱電源。
4. 超高真空成膜室腔體：不銹鋼sus304材質，內表面電解拋光，本底真空度<5e-7 pa。
5. 樣品傳輸室：不銹鋼sus304材質，內表面電解拋光，本底真空度<5e-5 pa。
6. 排氣系統：分子泵和干式機械泵，進口知名品牌。
7. 閥門：采用超高真空擋板閥。
8. 真空檢測：真空計采用進口產品
9. 氣路兩套：采用氣體流量計（MFC）。
10. 薄膜成長監控系統：采用掃描型Rheed（可差分抽氣）。
11. 監控軟件系統：基板溫度的監控和設定，基板和靶的旋轉，靶的更換。
12. 各種電流導入及測溫端子。
13. 其它各種構造：各種超高真空位移臺，磁力傳輸桿，超高真空法蘭，超高真空密封墊圈，超高真空用波紋管等。
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