變頻器用IGBT測試儀現貨供應源頭好貨「在線咨詢」

測試的IGBT參數包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導）、rCE（導通電阻）等全直流參數, 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內重復測試精度。4 硬件模塊 設備硬件部分應包括測試主機、測試線纜，測試夾具、控制電腦等 * 1。

半導體元件全自動測試系統，可以元件在真正工作狀態下的電流及電壓，并測量重要參數的數據，再與原出廠指標比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個電流模塊，都具有獨立的供電系統，以便在測試時，提供內部電路及電池組充電之用； 可選購外部高壓模塊，執行關閉狀態參數測試如：各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。

目的和用途 該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態參數測試，以表征器件的動態特性，通過測試夾具的連接，實現模塊的動態參數測試。4驗收和測試 3)驗收試驗應在-10～40℃環境溫度下進行，驗收完成后測試平臺及外部組件和裝置均應安裝在買方的位置上。 1.2 測試對象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導體模塊 2.測試參數及指標 2.1開關時間測試單元技術條件 開通時間測試參數： 1、開通時間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、開通電流上升率di/dt測量范圍：200-10000A/uS 6、開通峰值功率Pon：10W～250kW

7質量保證要求 ?賣方應通過ISO 9001質量論證。 ?可移動型儀器，使用方便，測試簡單快速，立即提供測試結果與數值。賣方所提供的元件，必須是經過檢驗合格的器件，否則，買方有權拒付貨款。 ?買方有權要求賣方委托第三方進行有關參數的測試，以確保出廠測試的參數真實有效。 ?在調試期間發現元件有缺陷或受到損壞，應由賣方負責免費更換并予以賠償。 ?賣方由于自身原因而延遲交貨時，買方有權按商務規定方法向賣方收取罰款。 ?賣方對技術規范保證數據的有效性及交貨保質期等應由雙方協商確定并簽署在合同中。