舟山肖特基二極管型號常用解決方案「強元芯電子」

MBR1045CT采用俄羅斯米克朗(Mikron)高抗沖擊能力芯片；其高抗沖擊性能尤為顯著，框架材質為100％純銅材料，黑膠部分采用復合材料環氧塑脂材料一次性澆鑄成型；采用臺灣健鼎的一體化測試設備，減少人工操作環節.在品質工藝上:二極管制作是使用的健鼎一體化自動生產線設備,全程工藝由電腦控制，模具更為精密完全杜絕毛刺，外觀光滑自然美觀。

UL為美國安規認證，是世界上安全試驗和鑒定機構整流橋

代表安全檢檢產品運作良率是世界上安全試驗和鑒定機構

激光打標，解決油墨絲印易掉色問題，黑膠材質是采用進口環氧塑脂材料

我司技術力量雄厚，可協同用戶研發、設計新產品，并可提供現場指導。

“誠信”是強元芯屹立于行業之本，未來，我們仍將恪守“誠信，專業，務實”的服務理念，不斷完 善創新，努力為客戶和公司同仁共創雙嬴。

編輯：DD

在外加電壓為零時，電子的擴散電流與反向的漂移電流相等，達到動態平衡。在加正向偏壓(即金屬加正電壓，半導體加負電壓)時，自建場削弱，半導體一側勢壘降低，于是形成從金屬到半導體的正向電流。當加反向偏壓時，自建場增強，勢壘高度增加，形成由半導體到金屬的較小反向電流。因此，SBD與PN結二極管一樣，是一種具有單向導電性的非線性器件。

ASEMI實用案例，肖特基二極管的一個典型的應用，是在雙極型晶體管 BJT 的開關電路里面，通過在 BJT 上連接 Shockley 二極管來箝位，使得晶體管在導通狀態時其實處于很接近截止狀態，從而提高晶體管的開關速度。這種方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型數字 IC 的 TTL內部電路中使用的技術。

SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關系到系統效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢壘高度，這是相矛盾的。因此，對勢壘金屬必須折衷考慮，故對其選擇顯得十分重要。對N型SiC來說，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢壘金屬。由于Ni/SiC的勢壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。