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發布時間：2020-10-31 05:31
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NR9-3000PYPR1 2000A1光刻膠價格
三、光刻膠涂覆（Photoresist Coating）
光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前，先在900-1100度濕氧化。氧化層可以作為濕法刻蝕或B注入的膜版。作為光刻工藝自身的首先過程，一薄層的對紫外光敏感的有機高分子化合物，即通常所說的光刻膠，要涂在樣品表面(SiO2)。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機中的樣品表面，(由真空負壓將樣品固定在樣品臺上)，樣品然后高速旋轉，轉速由膠粘度和希望膠厚度確定。在這樣的高速下，膠在離心力的作用下向邊緣流動。目前，半導體市場上主要使用的光刻膠包括g線、i線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量較大的。
涂膠工序是圖形轉換工藝中初的也是重要的步驟。涂膠的質量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復性和接下去的顯影時間，同一個樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應超過±5nm(對于1.5um膠厚為±0.3%)。
光刻膠的目標厚度的確定主要考慮膠自身的化學特性以及所要圖形中線條的及間隙的微細程度。太厚膠會導致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間，而對于特殊微結構制造，膠厚度有時希望1cm量級。在后者，旋轉涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規光刻膠涂布工序的優化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉速、環境溫度和濕度等，這些因素的穩定性很重要。品牌產地型號厚度曝光應用加工特性Futurrex美國NR71-1000PY0。
在工藝發展的早期，負膠一直在光刻工藝中占主導地位，隨著VLSI IC和2～5微米圖形尺寸的出現，負膠已不能滿足要求。隨后出現了正膠，但正膠的缺點是粘結能力差。
用正膠需要改變掩膜版的極性，這并不是簡單的圖形翻轉。因為用掩膜版和兩種不同光刻膠結合，在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的，由于光在圖形周圍的衍射效應，使得用負膠和亮場掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。用正膠和暗場掩膜版組合會使光刻膠層上的圖形尺寸變大。光刻膠企業通常運營成本較高，下游廠商認證采購時間較長，為在設備、研發和技術服務上取得競爭優勢，需要足夠的中后期資金支持。
NR77-25000P,RD8
品牌
產地
型號
厚度
曝光
應用
加工
特性
Futurrex
美國
NR71-1000PY
0.7μm~2.1μm
高溫耐受
用于i線曝光的負膠
LEDOLED、
顯示器、
MEMS、
封裝、
生物芯片等
金屬和介電
質上圖案化，
不必使用RIE
加工器件的永
組成
（OLED顯示
器上的間隔
區）凸點、
互連、空中
連接微通道
顯影時形成光刻膠倒
梯形結構
厚度范圍：
0.5～20.0 μm
i、g和h線曝光波長
對生產效率的影響：
金屬和介電質圖案化
時省去干法刻蝕加工
不需要雙層膠技術
NR71-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR71-3000PY
2.8μm～6.3μm
NR71-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR9-100PY
粘度增強
NR9-1500PY
NR9-3000PY
2.8μm~6.3μm
NR9-6000PY
NR71G-1000PY
負膠對 g、h線波長的靈敏度
NR71G-1500PY
NR71G-3000PY
NR71G-6000PY
NR9G-100PY
0.7μm～2.1μm
NR9G-1500PY
1.3μm～3.1μm
NR9G-3000PY
NR9G-6000PY
耐熱溫度
PR1-500A
0.4μm～0.9μm
?Futurrex
提供先進化學技術的多樣化解決方案
成立于1985年,總部設在美國新澤西州，富蘭克林市,高速成長并超過20年連續盈利的跨國公司
公司業務覆蓋范圍包括北美，亞太以及歐洲
基于多樣化的技術
應用領域：微電子、光電子、LED、太陽能光伏、微機電系統、生物芯片、微流體、平面印刷
解決方案：的光刻膠、摻雜涂層、平坦化涂層、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻擋層(Barrior Layere)、濕法制程
客戶：從財富100強到以風險投資為背景的設備研發及制造公司
使命
目標
提供特殊化學品和全新工藝來增加客戶的產能
策略
提供獨特的產品來優化生產制程，以提高設備能效
領的技術提升生產過程中的整體性價比
工藝步驟的減少降低了成本和產生瑕疵的可能
增加客戶的產能和生產的效率
工藝減化
非同尋常的顯微構造、金屬及介電層上的圖形轉換、光刻、平坦化、摻雜、蝕刻、邦定
在生產過程中，不含有害溶劑
支持所有客戶的需要，與客戶共創成功
