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              激光脈沖沉積設備廠家服務放心可靠【沈陽鵬程】

              發布時間:2020-12-30 12:11  

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              脈沖激光沉積系統配置介紹

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              脈沖激光沉積系統配置:

              生長室,進樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選,激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED,工作氣壓可達100Pa可預留法蘭,用于LEED,K-Cell, E-beam等其它可選項如臭氧發生器,離子源,掩膜系統等。巨脈沖激光:在腔內人為的加入損耗,使其大于工作物質的增益,這時沒有激光輸出。



              脈沖激光沉積選件介紹

              激光分子束外延(Laser MBE )

              激光MBE 是普遍采用的術語,該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法,高真空下的PLD 與在線工藝監測的反射高能電子衍射(RHEED)的聯合應用,用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長的單分子水平控制。

              正確的設計是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數

              RHEED 通常在高真空(<10-6 torr)環境下使用。然而,因為在某些特殊情況下,PLD 采用較高的壓力,差動抽氣是必要的,

              維持RHEED 槍的工作壓力,同時保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時,設計完整的系統消除磁場對電子束的影響是至關重要的。Neocera 的激光MBE 系統可以為用戶提供在壓力達到500 mTorr 時所需的單分子層控制。

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