PR1 2000A1光刻膠價格貨源充足 賽米萊德

在光刻膠的生產(chǎn)上，我國主要生產(chǎn)PCB光刻膠，LCD光刻膠和半導體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模較小， 2015年據(jù)統(tǒng)計我國光刻膠產(chǎn)量為9.75萬噸，其中中低端PCB光刻膠產(chǎn)值占比為94.4%，半導體和LCD光刻膠分分別占比1.6%和2.7%，嚴重依賴進口。因此，通過調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠制造商最核心的技術。

縱觀全球市場，光刻膠專用化學品生產(chǎn)壁壘高，國產(chǎn)化需求強烈。 化學結(jié)構(gòu)特殊、保密性強、用量少、純度要求高、生產(chǎn)工藝復雜、品質(zhì)要求苛刻，生產(chǎn)、檢測、評價設備投資大，技術需要長期積累。

至今光刻膠專用化學品仍主要被被日本合成橡膠（JSR）、東京應化（TOK）、住友化學、美國杜邦、美國futurrex、德國巴斯夫等化工寡頭壟斷。

光刻膠趨勢

半導體光刻膠領域全球市場規(guī)模趨于穩(wěn)定， 2017年全球市場約13.5億美元；國內(nèi)市場約20.2億元，近5年復合增速達12%。受全球半導體市場復蘇和國內(nèi)承接產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，預計全球光刻膠市場將保持穩(wěn)定增速，國內(nèi)市占率穩(wěn)步抬升。

光刻膠生產(chǎn)、檢測、評價的設備價格昂貴，需要一定前期資本投入；光刻膠企業(yè)通常運營成本較高，下游廠商認證采購時間較長，為在設備、研發(fā)和技術服務上取得競爭優(yōu)勢，需要足夠的中后期資金支持。而細化到半導體用光刻膠市場，國內(nèi)企業(yè)份額不足30%，與國際水平存在較大差距。企業(yè)持續(xù)發(fā)展也需投入較大的資金，光刻膠行業(yè)在資金上存在較高的壁壘，國外光刻膠廠商相對于國內(nèi)廠商，其公司規(guī)模更大，具有資金和技術優(yōu)勢。

總體上，光刻膠行業(yè)得到國家層面上的政策支持。《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，提出“研發(fā)光刻機、刻蝕機、離子注入機等關鍵設備，開發(fā)光刻膠、大尺英寸硅片等關鍵材料”；國家重點支持的高新技術領域（2015）中提到“高分辨率光刻膠及配套化學品作為精細化學品重要組成部分，是重點發(fā)展的新材料技術”；光刻技術（包括光刻膠）是《中國制造 2025》重點領域。屬固含量（%）：31-35主要溶劑：外觀：淺液體涂敷能：均勻的無條紋涂敷100攝氏度熱板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度40秒自旋。

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6，堅膜

堅膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現(xiàn)象，能使膠膜附著能力增強，康腐蝕能力提高。

堅膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min

7，顯影檢驗

光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡

小孔、小島。

NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢：

- 優(yōu)異的分辨率性能

- 快速地顯影

- 可以通過調(diào)節(jié)曝光能量很容易地調(diào)節(jié)倒梯形側(cè)壁的角度

- 耐受溫度100℃

- 室溫儲存保質(zhì)期長達3 年

正性光刻膠的金屬剝離技術

正性膠的金屬剝離工藝對于獲得難腐蝕金屬的細微光刻圖形比常規(guī)的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優(yōu)越性。本文首先對金屬剝離工藝中的正、負光刻膠的性能作了對比分析。認為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應于微細圖形的掩膜外，它還具有圖形邊緣陡直， 去膠容易等獨特性能，比負性光刻膠更有利于金屬剝離工藝。A正型光阻用PR1系列，負型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。然后給出了具體的工藝條件，并根據(jù)正性光刻膠的使用特點指出了工藝中的關鍵點及容易出現(xiàn)的問題。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差，這就要求對片子表面的清潔處理更為嚴格。為了高止光刻圖形的漂移控制光刻圖形的尺寸，對曝光時同特別是顯影液溫度提出了嚴格的要求。由于工藝中基本上不經(jīng)過腐蝕過程，膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。