化學氣相沉積設備廠家誠信企業(yè)【沈陽鵬程】

方箱PECVD簡介

該系統(tǒng)為單室薄膜太陽電池等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝研發(fā)設備，用來在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，鍍膜樣品為156×156mm基片（并向下兼容）。

設備概述：

1.系統(tǒng)采用單室方箱式結構，手動前開門；

2.真空室:尺寸為350mm×350×280mm；

3.極限真空度：≤6.67x10-4 Pa (經烘烤除氣后，采用分子泵抽氣)；

系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，35分鐘可達到

（采用分子泵抽氣，分子泵不配，預留分子泵接口)； 停泵關機12小時后真空度：≤5 Pa（采用分子

泵抽氣，分子泵不配，預留分子泵接口)；

4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進氣方式；

5.樣品加熱加熱溫度：300℃，溫控精度：±1°C，采用日本進口控溫表進行控溫；

6.噴淋頭尺寸：200×200mm，噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調；

7. 沉積工作真空：13-1300Pa；

8.氣路設有勻氣系統(tǒng)，真空室內設有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

9.射頻電源：頻率 13.56MHz，功率500W，全自動匹配；

10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路氣體，共計使用7個質量流量控制器控制進氣。

11. 系統(tǒng)設有尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。

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ICP刻蝕機簡介

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一．系統(tǒng)概況

該系統(tǒng)主要用于常規(guī)尺寸樣片（不超過Φ6）的刻蝕，可刻蝕的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、

硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻膠、半導體材料、部分金屬等。設備具有選擇比高、刻

蝕速率快、重復性好等優(yōu)點。具體描述如下：

1.系統(tǒng)采用單室方箱式結構，手動上開蓋結構；

2.真空室組件及配備零部件全部采用鋁材料制造，真空尺寸為400mm×400×197mm，

內腔尺寸Ф340mm×160mm；

3.極限真空度：≤6.6x10-4 Pa (經烘烤除氣后，采用FF160/600分子泵抽氣)；

系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；

系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，20分鐘可達到（采用分子泵抽氣)；

停泵關機12小時后真空度：≤5 Pa；

5.樣品水冷：由循環(huán)水冷水機進行控制；

7.ICP頭尺寸：340mm mm，噴淋頭與樣品之間電極間距50mm；

8. 沉積工作真空：1-20Pa；

9. 氣路設有勻氣系統(tǒng)，真空室內設有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

10. 射頻電源：2臺頻率 13.56MHz，功率600W，全自動匹配；

11. 6路氣體，共計使用6個質量流量控制器控制進氣。

氣體：氦氣/氧氣/四氟化碳/六氟化硫

12. 刻蝕速率

SiO2：≥0.5μm/min

Si：≥1μm/min

光刻膠：≥1μm/min

13. 刻蝕不均勻性：

優(yōu)于±5%（Φ4英寸范圍內）

優(yōu)于±6%（Φ6英寸范圍內）

14. 選擇比

CF4的選擇比為50,