您好，歡迎來到易龍商務網！
發布時間：2020-07-31 18:00
【廣告】
光刻膠的概述
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉移到晶圓片上。
光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經過顯影后被溶解，只留下未受光照的部分形成圖形；而負膠卻恰恰相反，經過曝光后，受到光照的部分會變得不易溶解，經過顯影后，留下光照部分形成圖形。
負膠在光刻工藝上應用早，其工藝成本低、產量高，但由于它吸收顯影液后會膨脹，導致其分辨率（即光刻工藝中所能形成圖形）不如正膠，因此對于亞微米甚至更小尺寸的加工技術，主要使用正膠作為光刻膠。
光刻膠應用
光刻膠是一種具有光化學敏感性的功能性化學材料，是由光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體（活性稀釋劑）、溶劑和其他助劑組成的對光敏感的混合液體，其中，樹脂約占50%，單體約占35%。它能通過光化學反應改變自身在顯影液中的溶解性，通過將光刻膠均勻涂布在硅片、玻璃和金屬等不同的襯底上，利用它的光化學敏感性，通過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設計在掩膜版上的圖形轉移到襯底上。
光刻膠常被稱為是精細化工行業技術壁壘的材料，是因為微米級乃至納米級的圖形加工對其專用化學品的要求極高，不僅化學結構特殊，品質要求也很苛刻，所以生產工藝復雜，需要長期的技術積累。
被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作，是電子制造領域的關鍵材料之一。下游主要用于集成電路、面板和分立器件的微細加工，同時在LED、光伏、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有廣泛應用，是微細加工技術的關鍵性材料。
光刻膠的主要技術參數
1、分辨率:區別硅片表面相鄰圖形特性的能力，一般用關鍵尺寸來衡量 分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。
2、對比度:指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，分辨率越好。
3、敏感度:光刻膠上產生一 個良好的圖形所需一 定波長的小能量值(或小曝光量)。單位:焦/平方厘米或mJ/cm2.光刻膠
的敏感性對于波長更短的深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要。
4、粘滯性/黏度:衡量光刻膠流動特性的參數。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會產生厚的光刻膠;越小的
粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。
5、粘附性:表征光刻膠粘著于襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致硅片表面的圖形變形。
6、抗蝕性:光刻膠必須保持它的粘附性，在后續的刻蝕I序中保護襯底表面。
7、表面張力:液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。
8、存儲和傳送:能量可以啟動光刻膠。應該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。 同時必須規定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環境。
以上內容由賽米萊德為您提供，希望對同行業的朋友有所幫助！
光刻膠定義
光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料，是轉移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的英文名為resist，又翻譯為抗蝕劑、光阻等。廣泛應用于集成電路(IC)，封裝(Packaging)，微機電系統(MEMS)，光電子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics)，平板顯示器(LED,LCD,OLED)，太陽能光伏(Solar PV)等領域。
期望大家在選購光刻膠時多一份細心，少一份浮躁，不要錯過細節疑問。想要了解更多光刻膠的相關資訊，歡迎撥打圖片上的熱線電話！！！
