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發布時間：2021-01-18 03:32
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優點化學拋光的優點是化學拋光設備簡單，不需要什么特殊設備，只需要一個盛拋光液的玻璃杯和夾持試樣的夾子就可以了。如果用細薄磨料片切割的試樣，切割后不需要砂紙磨光，即可直接拋光。有些非導體材料也可以用化學拋光，非導體嵌鑲的試樣也可以直接拋光。化學拋光也可以處理形狀比較復雜的零件
缺點1、化學拋光的質量不如電解拋光。2、化學拋光所用溶液的調整和再生比較困難，在應用上受到限制。3、化學拋光操作過程中，散發出大量黃棕色有害氣體，對環境污染非常嚴重。4、拋光溶液的使用壽命短，溶液濃度的調節和再生比較困難
使用方法：1． 使用 工藝處理濃度: 建議控制條件 理想值Risr- B709 原液使用 原液使用處理溫度 &nbs p; 65-75℃ 70℃處理方法 &nbs p; 攪拌浸泡處理時間 &nbs p; 5-10分鐘 5min注：使用前 采用恒溫加熱35℃和均勻的攪拌，建議采用石英加熱器加熱。2． 處理流程工件脫脂 水洗 侵入化拋劑 清洗（2-3次） 烘干或后處理工序。建 浴：1、清槽 建議使用鋼體結構內襯PP或PE材料，首先使用 堿液清洗后再使用鹽酸清洗，再用清水清洗2-3遍，后使用純水清洗一遍；2、配制 原液使用。廢水處理：廢水處理按常規化學品處理，同時應遵循 有關的化學應用規則，注意事項：在接觸化學品時，必須閱讀、理解和遵循MSDS上 的急救和處理建議。貯存時注意：貯存處應陰涼、干燥、避光。
依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產生高損傷層。
1. LED行業LED芯片主要采用的襯底材料是藍寶石，在加工過程中需要對其進行減薄和拋光。藍寶石的硬度極高，普通磨料難以對其進行加工。在用金剛石研磨液對藍寶石襯底表面進行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實現了藍寶石表面的精密拋光。隨著LED行業的快速發展，聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。
