新北cvd化學氣相沉積常用指南,東莞拉奇納米鍍膜

鍍膜制造需要部分耗材1.SIO2顆?；颦h狀(∮300*∮230*T7.5mm,)需要根據機臺配置選用。2.TIO2顆粒。3.晶振片Filtex 6MHZ或INFICON6MHZ。4.監控片BK7 Φ142*80*1.8mm,需要根據機臺配置選用。5.銅坩堝,需要根據機臺配置選用。6.鋁箔厚度0.05mm*寬610mm。7.電子槍燈絲,需要根據機臺配置選用。*聚合生長的成膜方式阻止了離子在涂層和基板界面的擴散，消除了常見的涂層下枝狀腐蝕。8.離子源,需要根據機臺配置選用耗材。

真空鍍膜技術一般分為兩大類，即物理氣相沉積（PVD）技術和化學氣相沉積（CVD）技術。物理氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質反應膜大多以物理氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質的熱蒸發，或受到離子轟擊時物質表面原子的濺射等現象，實現物質原子從源物質到薄膜的可控轉移過程。真空鍍中對底涂層的要求：①對鍍件與鍍膜層有良好的接觸性能與較高的結合力，熱膨脹系數相差小，不起反應，流平性能好。

Parylene在電子產品領域的優點:

惡劣環境下線路板保護涂層，列入美軍標MIL-I-46058C；滿足IPC-CC-830B

涂敷過程中不存在任何液態，無普通液體防護涂層的難以避免的流掛，氣孔、厚薄不均等嚴重缺陷；

*水分子透過率極低，僅為常見的有機硅樹脂的千分之一；

*聚合生長的成膜方式阻止了離子在涂層和基板界面的擴散，消除了常見的涂層下枝狀腐蝕。

*表面憎水特性進一步降低潮濕和離子污染的不利影響；

*滲入芯片與基板間的微細間隙（甚至達10μm），提供完整的保護；

*大幅增強芯片-基板間導線（25μm粗細）的連接強度；