國產(chǎn)晶片減薄砂輪信息推薦「多圖」

發(fā)布時(shí)間：2020-11-28 13:10

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影響誠薄機(jī)誠薄硅片平整度的因素有哪些?

在經(jīng)過減薄加工的硅片厚度公差和平整度是與行星齒輪片的平整性有著必然聯(lián)系的。因?yàn)樾行驱X輪片采用的是球墨鑄鐵加工制成的，相對(duì)行星齒輪片的平整度要求是比較高的，如果行星齒輪本身不夠平整的話,減薄出來的硅片它的平整性就會(huì)隨之受到影響而變差，同時(shí)厚度公差也會(huì)增大;還有就是在研磨時(shí)一定要確保磨料的流量不變,尤其是減薄前硅片本身的厚度要足夠均勻才可以，如果硅片在高溫?cái)U(kuò)散后出現(xiàn)變形，導(dǎo)致其彎曲，而彎曲程度相對(duì)較大時(shí)，那么在減薄的過程中是極易破損的，或者出現(xiàn)較大的厚度誤差。因此，減少擴(kuò)散工藝引起硅片變形是提高硅片平整度和減少厚度公差的一個(gè)十分重要的因素。

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誠薄機(jī)對(duì)晶片誠薄的必要性及作用?

根據(jù)制造工藝的要求來講，目前對(duì)晶片的尺寸、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶結(jié)構(gòu)提出了較高的要求，因此，在制造工藝的過程中減薄機(jī)對(duì)晶片減薄是相對(duì)不可缺少的一部分。那么，關(guān)于晶片減薄的必要性及作用具體體現(xiàn)哪些方面呢?

1.提高芯片的散熱性能要求

在集成電路中，由于硅基體材料及互聯(lián)金屬層存在電阻，在電流的作用下，芯片要產(chǎn)生的發(fā)熱現(xiàn)象。而在芯片工作的過程中，由于部分熱量的產(chǎn)生，使得芯片背面產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力。芯片熱量逐漸升高，基體層之間的熱差異性加劇，這無疑加大了芯片的內(nèi)應(yīng)力。較大的內(nèi)應(yīng)力使芯片生產(chǎn)，這是芯片損壞的主要原因之一。因此，只有通過減薄機(jī)對(duì)晶片背面進(jìn)行減薄，才可以降低芯片熱阻，有效提高芯片的散熱性能，從而降低了芯片破損的風(fēng)險(xiǎn)，提高了集成電路的可靠性。2.集成電路制造工藝要求

通過對(duì)晶片減薄工藝后，使其更加有利芯片分離，在一定程度上提高了劃片的質(zhì)量以及成品率。在許多集成電路制造領(lǐng)域內(nèi)，大家對(duì)集成電路芯片超薄化的要求是越來越高,要想得到高質(zhì)量的超薄芯片，我們就必須通過晶片減薄工藝的方式從而獲取。

通過以上兩點(diǎn)可以得出，只有通過減薄機(jī)對(duì)晶片減薄，才能更好的保證芯片的厚度及尺寸等方面的要求，這也足夠充分的體現(xiàn)了晶片減薄工藝的重要性。