昆明ZnO晶體基片價格-推薦廠家 合肥合瑞達優質材料

氧化鋅（ZnO）單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結構的半導體，其可直接躍 遷，禁帶寬度(Eg 3. 37eV)大。此外，與其它半導體材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子結合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待將其用作的發光器件材料。氧化鋅（ZnO）晶體具有四種晶體結構,閃鋅礦結構(與金剛石類似,可看成氧原子FCC排列,4個鋅原子占據金剛石中晶胞內四個碳原子的位置);NaC結構;CsCl結構(氧原子簡單立方排列,鋅原子占據體心位置);纖鋅礦結構(六方結構,氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。

氧化鋅（ZnO）晶體具有四種晶體結構,閃鋅礦結構(與金剛石類似,可看成氧原子FCC排列,4個鋅原子占據金剛石中晶胞內四個碳原子的位置);NaC結構;CsCl結構(氧原子簡單立方排列,鋅原子占據體心位置);纖鋅礦結構(六方結構,氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。氧化鋅（ZnO）與GaN的物理性能非常接近，其晶格失配度很小，是GaN晶體生長zui理想的襯底材料。

氧化鋅（ZnO）晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能IBⅥA族半導體材料,具有優良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。 氧化鋅（ZnO）晶體在1975℃同成分熔化,在較高的溫度下非常不穩定,不容易由熔體直接生長。目前主要是在盡可能低的溫度下用化學氣相輸運法、水熱法和助熔劑法生長。常見的氧化鋅（ZnO）屬六方晶系,纖鋅礦結構,點群為6mm,znO晶體中,Z離子和O離子沿c軸交替堆積,(O001)面終結于正電荷Z離子,(0001)面終結于負電荷O離子,因此,氧化鋅（ZnO）單晶具有極性。

氧化鋅（ZnO）晶體具有四種晶體結構，閃鋅礦結構（與金剛石類似，可看成氧原子FCC排列，4個鋅原子占據金剛石中晶胞內四個碳原子的位置）；NaCl結構；CsCl結構（氧原子簡單立方排列，鋅原子占據體心位置）；纖鋅礦結構（六方結構，氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列）。ZnO晶體隨著環境條件的改變形成不同結構的晶體。ZnO晶體中的化學鍵既有離子鍵的成分，又有共價鍵的成分，兩種成分的含量差不多，因而使得ZnO晶體中的化學鍵沒有離子晶體那么強，導致其在一定的外界條件下更容易發生晶體結構上的改變。