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發布時間：2021-07-17 10:00
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方箱PECVD簡介
該系統為單室薄膜太陽電池等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝研發設備，用來在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，鍍膜樣品為156×156mm基片（并向下兼容）。
設備概述：
1.系統采用單室方箱式結構，手動前開門；
2.真空室:尺寸為350mm×350×280mm；
3.極限真空度：≤6.67x10-4 Pa (經烘烤除氣后，采用分子泵抽氣)；
系統真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系統從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，35分鐘可達到
（采用分子泵抽氣，分子泵不配，預留分子泵接口)； 停泵關機12小時后真空度：≤5 Pa（采用分子
泵抽氣，分子泵不配，預留分子泵接口)；
4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進氣方式；
5.樣品加熱加熱溫度：300℃，溫控精度：±1°C，采用日本進口控溫表進行控溫；
6.噴淋頭尺寸：200×200mm，噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續可調；
7. 沉積工作真空：13-1300Pa；
8.氣路設有勻氣系統，真空室內設有保證抽氣均勻性抽氣裝置；
9.射頻電源：頻率 13.56MHz，功率500W，全自動匹配；
10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路氣體，共計使用7個質量流量控制器控制進氣。
11. 系統設有尾氣處理系統(高溫裂解方式)。
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化學氣相沉積的原理
沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業生產、銷售化學氣相沉積，我們為您分析該產品的以下信息。
化學氣相沉積技術是應用氣態物質在固體上產生化學反應和傳輸反應等并產生固態沉積物的一種工藝，它大致包含三步：
（1）形成揮發性物質 ；
（2）把上述物質轉移至沉積區域 ；
（3）在固體上產生化學反應并產生固態物質 ?；镜幕瘜W氣相沉積反應包括熱分解反應、化學合成反應以及化學傳輸反應等集中。
等離子體化學氣相沉積
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等離子體化學氣相沉積簡稱PCVD，是一種用等離子體激發反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。一般說來,采用PECVD技術制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：首先，在非平衡等離子體中，電子與反應氣體發生初級反應，使得反應氣體發生分解，形成離子和活性基團的混合物。等離子體化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應氣體，利用等離子體放電，使反應氣體激發并實現化學氣相沉積的技術。
PCVD工藝的具體流程
PCVD工藝的具體流程如下：
(1)沉積。沉積過程借助低壓等離子體使流進高純度石英玻璃沉積管內的氣態鹵化物和氧氣在1000℃以上的高溫條件下直接沉積成設計要求的光纖芯中玻璃的組成成分。
(2)熔縮。沿管子方向往返移動的石墨電阻爐對小斷旋轉的管子加熱到大約2200℃，在表面張力的作用下，分階段將沉積好的石英管熔縮成一根實心棒(預制棒)。
(3)套棒。為獲得光纖芯層與包層材料的適當比例，將熔縮后的石英棒套入一根截面積經過精心挑選的管子中，這樣裝配后即可進行拉絲。
(4)拉絲。套棒被安裝在拉絲塔的頂部，下端緩緩放入約2100℃的高溫爐中，此端熔化后被拉成所需包層直徑的光纖(通常為125 cm)，并進行雙層涂覆和紫外固化。
(5)光纖測試。拉出的光纖要經過各種試，以確定光纖的幾何、光學和機械性能。
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