PR1 2000A1光刻膠公司詢問報價

正負光刻膠

正負光刻膠

光刻膠分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的，故此叫正膠，利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。

一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠!超過80%市場份額掌握在日本住友、TOK、美國陶氏、美國futurrex等公司手中，國內公司中，蘇州瑞紅與北京科華實現了部分品種的國產化，但是整體技術水平較低，僅能進入8英寸集成電路生產線與LED等產線。 正性光刻膠比負性的精度要高，負膠顯影后圖形有漲縮，負性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優于0.5μm 導致影響精度，正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率，但是薄負性膠會影響孔。同種厚度的正負膠，在對于抗濕法和腐蝕性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。賽米萊德提供美國Futurrex的光刻膠的供應與技術參數。

NR9-3000PYPR1 2000A1光刻膠公司

四、前烘（Soft Bake）

完成光刻膠的涂抹之后，需要進行軟烘干操作，這一步驟也被稱為前烘。前烘能夠蒸發光刻膠中的溶劑溶劑、能使涂覆的光刻膠更薄。

在液態的光刻膠中，溶劑成分占65％－85％。雖然在甩膠之后，液態的光刻膠已經成為固態的薄膜，但仍有10％－30％的溶劑，容易沾污灰塵。通過在較高溫度下進行烘培，可以使溶劑從光刻膠中揮發出來（前烘后溶劑含量降至5％左右），從而降低了灰塵的沾污。同時，這一步驟還可以減輕因高速旋轉形成的薄膜應力，從而提高光刻膠 襯底上的附著性。光刻膠：用化學反應進行圖像轉移的媒介光刻膠具有光化學敏感性，其經過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設計好的微細圖形從掩膜版轉移到待加工基片。

在前烘過程中，由于溶劑揮發，光刻膠厚度也會減薄，一般減薄的幅度為10％－20％左右。

NR9-3000PY

11．請教~有沒有同時可以滿足RIE

process 和Lift-off

process的光阻，謝謝！

A 我們推薦使用Futurrex

NR1-300PY來滿足以上工藝的需求。

12．Futurre光刻膠里，有比較容易去除的負光阻嗎？

A NR9-系列很容易去除，可以滿足去膠需要。

13．我們目前用干膜做窄板，解析度不夠，希望找到好的替代光阻？

A NR9-8000因為有很高的AR比例，適合取代，在凸塊的應用上也有很大的好處。

14．傳統的Color

filter 制程，每個顏色的烘烤時間要2-3個小時，有沒有更快的方法制作Coior

filter?

A 用于Silylation制程------烘烤時間只需要2分鐘，同時光阻不需要Reflow, 顏色也不會老化改變，只需要在Filter上面加熱溶解PR1-2000S光阻，Microlenses就能形成！

15．請問有專門為平坦化提供材料的公司嗎？

A 美國Futurrex公司，專門生產應用化學品的，可以為平坦化的材料提供PC3-6000和PC4-1000都是為平坦化用途設計，臺灣企業用的比較多。

16．我需要一種可用于鋼板印刷的方式來涂布PROTECTIVE

COATING，那種適合？？

A 推薦美國Futurrex，PC4-10000。

17．臘是用來固定芯片的，但很難清洗干凈，哪里有可以替代的產品介紹下，謝謝？

A 我們公司是使用Futurrex

PC3-6000,可以替代的，而且去除比較容易，你可以試用下。

18．請問有沒有100微米厚襯底為鍍鎳硅并可用與MEMS應用的光刻膠嗎？

A NR4-8000P可以做到140微米的厚度，并在鍍鎳的襯底上不會出現難去膠的問題，如果是其他非鍍鎳襯底NR9-8000P是適合的選擇。

19．誰有用在光波導圖案的光刻膠？是否可以形成角度為30度的側壁？

A 你必須實現通過逐步透光來實現掩膜圖案棱的印刷，NR4-8000P是專門為光波導圖案應用進行設計的產品。