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發(fā)布時間:2021-06-29 08:59  
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PLD 主要選件
離子輔助沉積 (IBAD)系統(tǒng)介紹
離子輔助沉積已經(jīng)成為在無規(guī)取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù)。Neocera 開發(fā)了離子輔助的PLD 系統(tǒng),該系統(tǒng)將PLD 在沉積復雜材料方面的優(yōu)勢與IBAD 能力結(jié)合在一起。
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脈沖激光沉積選件介紹
激光分子束外延(Laser MBE )
激光MBE 是普遍采用的術(shù)語,該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法,高真空下的PLD 與在線工藝監(jiān)測的反射高能電子衍射(RHEED)的聯(lián)合應(yīng)用,用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長的單分子水平控制。
正確的設(shè)計是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數(shù)
RHEED 通常在高真空(<10-6 torr)環(huán)境下使用。然而,因為在某些特殊情況下,PLD 采用較高的壓力,差動抽氣是必要的,
維持RHEED 槍的工作壓力,同時保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時,設(shè)計完整的系統(tǒng)消除磁場對電子束的影響是至關(guān)重要的。Neocera 的激光MBE 系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達到500 mTorr 時所需的單分子層控制。
以上內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司為您提供,希望對同行業(yè)的朋友有所幫助!
脈沖激光沉積系統(tǒng)的配置介紹
沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售脈沖激光沉積,我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。
1.靶: 數(shù)量6個,大小1-2英寸,被激光照射時可自動旋轉(zhuǎn),靶的選擇可通過步進電機控制;
2.基板:采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片,大小2英寸,加熱溫度可達1200攝氏度,溫度差<3%,加熱時基板可旋轉(zhuǎn),工作環(huán)境的壓力可達300mtorr;
3.基板加熱電源,高到1200度;
4.超高真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質(zhì),內(nèi)表面電解拋光,本底真空度<5e-8 pa;
5.樣品搬運室:不銹鋼sus304材質(zhì),內(nèi)表面電解拋光,本底真空度<5e-5 pa;
6.排氣系統(tǒng):分子泵和干式機械泵;
7.閥門: 采用超高真空擋板閥;
8.真空檢測:真空計;
9.氣路兩套: 采用氣體流量計控制;
10.薄膜生長監(jiān)控系統(tǒng): 采用掃描型差分RHEED;
11.監(jiān)控系統(tǒng):基板溫度的監(jiān)控和設(shè)定,基板和靶的旋轉(zhuǎn),靶的更換等;
12.各種電流導入及測溫端子;
13.其它各種構(gòu)造:各種超高真空位移臺,磁力傳輸桿,超高真空法蘭,超高真空密封墊圈,超高真空用波紋管等;