等離子化學氣相沉積設備公司優惠報價【沈陽鵬程】

化學氣相沉積技術的使用

生產晶須：

晶須屬于一種以為發育的單晶體，它在符合材料范疇中有著很大的作用，能夠用于生產一些新型復合材料。刻蝕腔的主要組成有：上電極、ICP射頻單元、RF射頻單元、下電極系統、控溫系統等組成。 化學氣相沉積法在生產晶須時使用的是金屬鹵化物的氫還原性質。化學氣相沉積法不但能制備出各類金屬晶須，同時也能生產出化合物晶須，比如氧化鋁、金剛砂、碳化鈦晶須等等。

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化學氣相沉積產品概述

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1、適用范圍：適合于各單位實驗室、高等院校實驗室、教學等的項目科研、產品中試之用。

2、產品優點及特點：應用于半導體薄膜、硬質涂層等薄膜制備，兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。

3、主要用途：主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導體及金屬膜。

PCVD工藝的具體流程

PCVD工藝的具體流程如下：

(1)沉積。沉積過程借助低壓等離子體使流進高純度石英玻璃沉積管內的氣態鹵化物和氧氣在1000℃以上的高溫條件下直接沉積成設計要求的光纖芯中玻璃的組成成分。

(2)熔縮。沿管子方向往返移動的石墨電阻爐對小斷旋轉的管子加熱到大約2200℃，在表面張力的作用下，分階段將沉積好的石英管熔縮成一根實心棒(預制棒)。

(3)套棒。為獲得光纖芯層與包層材料的適當比例，將熔縮后的石英棒套入一根截面積經過精心挑選的管子中，這樣裝配后即可進行拉絲。

(4)拉絲。套棒被安裝在拉絲塔的頂部，下端緩緩放入約2100℃的高溫爐中，此端熔化后被拉成所需包層直徑的光纖(通常為125 cm)，并進行雙層涂覆和紫外固化。

(5)光纖測試。拉出的光纖要經過各種試，以確定光纖的幾何、光學和機械性能。

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