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              真空鍍膜系統公司多重優惠【艾明坷】

              發布時間:2020-12-16 18:12  

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              ST系列鍍膜機

              ST系列鍍膜機系我司標準化產品,滿足大部分實驗室科研需求,豐富的可選配置也可響應您的特殊需要。特點:1、集成一體化結構。

              2、極限真空度高,可達7×10-5Pa,可保證更高的鍍膜純凈度,提高鍍膜質量。

              3、從大氣到工作背景真空(7×10-4Pa)時間短,30分鐘左右(充干燥氮氣)。 系統停泵關機12小時后真空度:≤8Pa。

              4、整機采用柜式結構,密封性能好,防塵防水,安全。

              5、磁控、熱蒸發多種鍍膜方式可選。

              本信息由艾明坷為您提供,如果您想了解更多產品信息,您可撥打圖片上的電話咨詢,艾明坷竭誠為您服務!


              鍍膜機操作程序

              真空鍍膜機操作程序具體操作時請參照該設備說明書和設備上儀表盤指針顯示及各旋鈕下的標注說明。

              ① 檢查真空鍍膜機各操作控制開關是否在'關'位置。

              ② 打開總電源開關,設備送電。

              ③ 低壓閥拉出。開充氣閥,聽不到氣流聲后,啟動升鐘罩閥,鐘罩升起。

              ④ 安裝固定鎢螺旋加熱子。把PVDF薄膜和鋁蓋板固定在轉動圓盤上。把鋁絲穿放在螺旋加熱子內。清理鐘罩內各部位,保證無任何雜質污物。

              ⑤ 落下鐘罩。

              ⑥ 啟動抽真空機械泵。

              艾明坷科技有限公司專業生產手套箱,如您想了解更多您可撥打圖片上的電話進行咨詢!


              真空鍍膜技術的應用領域

              在平板顯示器中

              所有各類平板顯示器都要用到各種類型的薄膜,而且,幾乎所有類型的平板顯示器件都需要使用ITO膜,以滿足透明電器的要求??梢院敛豢鋸埖恼f,沒有薄膜技術,就沒有平板顯示器件。

              在太陽能利用方面

              當需要有效地利用太陽熱能時,就要考慮采用對太陽光線吸收較多、而對熱輻射等所引起的損耗較小的吸收面。太陽光譜的峰值大約在波長為2-20μm之間的紅外波段。如需了解更多真空鍍膜的相關信息,歡迎關注艾明坷網站或撥打圖片上的電話詢。由于太陽輻射與熱輻射光譜在波段上有差異,因此,為了有效地利用太陽熱能,就必須考慮采用具有波長選擇特性的吸收面。

              理想的選擇吸收面,是太陽輻射光譜的波段(可見光波段)吸收率(α)為1,在熱輻射波段(紅外波段)輻射率(ε)為0。

              在防偽技術中

              防偽膜種類很多,從使用方法可分為反射式和透射式;從膜系附著方式可以分為直接鍍膜式、間接鍍膜式或間接鍍膜剪貼式。

              在飛機防護涂層方面

              飛機的鈦合金緊固件,原來采用電鍍方法鍍鎘。但在鍍鎘中含有氫,所以在飛行過程中,受到大氣、海水的腐蝕,鍍層上容易產生“鎘脆”,甚至引起“空難”。

              1964年,采用離子鍍方法在鈦合金緊固件上鍍鋁,解決了飛機零件的“鎘脆”問題。在離子鍍技術中,由于給工件施加負偏壓,可以形成“偽擴散層”、細化膜層組織,因此,可以顯著提高膜層的耐腐蝕性能。

              在光學儀器中

              人們熟悉的光學儀器有望遠鏡、顯微鏡、照相機、測距儀,以及日常生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等,它們都離不開鍍膜技術,鍍制的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。

              在信息存儲領域中

              薄膜材料作為信息記錄于存儲介質,有其得天獨厚的優勢:

              由于薄膜很薄,可以忽略渦流損耗;磁化反轉極為迅速;與膜面平行的雙穩態狀態容易保持等。

              為了更精密地記錄與存儲信息,必然要采用鍍膜技術。

              在傳感器方面

              在傳感器中,多采用那些電氣性質相對于物理量、化學量及其變化來說,極為敏感的半導體材料。此外,其中,大多數利用的是半導體的表面、界面的性質,需要盡量增大其面積,且能工業化、低價格制作,因此,采用薄膜的情況很多。

              在集成電路制造中

              晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線等,多是采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發金屬技術、磁控濺射技術和射頻濺射技術。可見,氣相沉積是制備集成電路的核心技術之一。




              常見的真空鍍膜材料


              氧化物一氧化硅SiO,二氧化硅SiO2,二氧化鈦TiO2,二氧化鋯ZrO2,二氧化鉿HfO2,一氧化鈦TiO,五氧化三鈦Ti3O5,五氧化二鈮Nb2O5,五氧化二鉭Ta2O5,氧化釔Y2O3,氧化鋅ZnO等高純氧化物鍍膜材料。

              其它化合物硫化鋅ZnS,硒化鋅ZnSe,氮化鈦TiN,碳化硅SiC,鈦酸鑭LaTiO3,鈦酸鋇BaTiO3,鈦酸鍶SrTiO3,鈦酸鐠PrTiO3,硫1化鎘CdS等真空鍍膜材料。

              金屬鍍膜材料高純鋁Al,高純銅Cu,高純鈦Ti,高純硅Si,高純金Au,高純銀Ag,高純銦In,高純鎂Mg,高純鋅Zn,高純鉑Pt,高純鍺Ge,高純鎳Ni,高純金Au,金鍺合金AuGe,金鎳合金AuNi,鎳鉻合金NiCr,鈦鋁合金TiAl,鋅鋁合金ZnAl,鋁硅合金AlSi等金屬鍍膜材料。了解被抽氣體成分,氣體中含不含可凝蒸氣,有無顆?;覊m,有無腐蝕性等。 



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