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發布時間：2020-12-22 05:09
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光刻膠的生產步驟
1、準備基質：在涂布光阻劑之前，硅片一般要進行處理，需要經過脫水烘培蒸發掉硅片表面的水分，并涂上用來增加光刻膠與硅片表面附著能力的化合物以及硅二乙胺。
2、涂布光阻劑（photo resist）：將硅片放在一個平整的金屬托盤上，托盤內有小孔與真空管相連，硅片就被吸在托盤上，這樣硅片就可以與托盤一起旋轉。
3、軟烘干：也稱前烘。在液態的光刻膠中，溶劑成分占65％－85％，甩膠之后雖然液態的光刻膠已經成為固態的薄膜，但仍有10％－30％的溶劑，容易玷污灰塵。通過在較高溫度下進行烘培，可以使溶劑從光刻膠中揮發出來，從而降低了灰塵的玷污。
4、曝光：曝光過程中，光刻膠中的感光劑發生光化學反應，從而使正膠的感光區、負膠的非感光區能夠溶解于顯影液中。正性光刻膠中的感光劑DQ發生光化學反應，變為乙烯酮，進一步水解為茚并羧酸，羧酸對堿性溶劑的溶解度比未感光的感光劑高出約100倍，同時還會促進酚醛樹脂的溶解。于是利用感光與未感光的光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度，就可以進行掩膜圖形的轉移。
5、顯影（development） ：經顯影，正膠的感光區、負膠的非感光區溶解于顯影液中，曝光后在光刻膠層中的潛在圖形，顯影后便顯現出來，在光刻膠上形成三位圖形。為了提高分辨率，幾乎每一種光刻膠都有專門的顯影液，以保證高質量的顯影效果。
6、硬烘干：也稱堅膜。顯影后，硅片還要經過一個高溫處理過程，主要作用是除去光刻膠中剩余的溶劑，增強光刻膠對硅片表面的附著力，同時提高光刻膠在刻蝕和離子注入過程中的抗蝕性和保護能力。
7、刻（腐）蝕或離子注入
8、去膠：刻蝕或離子注入之后，已經不再需要光刻膠作保護層，可以將其除去，稱為去膠，分為濕法去膠和干法去膠，其中濕法去膠又分去膠和無機溶劑去膠。
光刻膠相關信息
賽米萊德——專業光刻膠供應商，我們為您帶來以下信息。
光刻膠是印刷線路板、顯示面板、集成電路等電子元器件的上游。光刻膠產業鏈覆蓋范圍非常廣，上游為基礎化工材料行業、精細化學品行業，中游為光刻膠制備，下游為電子加工廠商、各電子器產品應用終端。由于上游產品直接影響下游企業的產品質量，下業企業對公司產品的質量和供貨能力十分重視，常采用認證采購的模式，進入壁壘較高。
在下游半導體、LCD、PCB等行業需求持續擴大的拉動下，光刻膠市場將持續擴大。2018年全球光刻膠市場規模為85億美元，2014-2018年復合增速約5%。據IHS，未來光刻膠復合增速有望維持5%。按照下游應用來看，目前半導體光刻膠占比24.1%，LCD 光刻膠占比26.6%，PCB 光刻膠占比24.5%，其他類光刻膠占比24.8%。
光刻膠介紹
光刻膠可分為半導體光刻膠、面板光刻膠和PCB光刻膠。其中，半導體光刻膠的技術壁壘較高。
從技術水平來看，在PCB領域，國產光刻膠具備了一定的技術和量產能力，已經實現對主流廠商大批量供貨。
賽米萊德以誠信為首 ,服務至上為宗旨。公司生產、銷售光刻膠,公司擁有強大的銷售團隊和經營理念。想要了解更多信息，趕快撥打圖片上的熱線電話！
