重慶四氟化碳廠-廠家直銷 安徽譜純

由碳與氟反應，或一氧1化碳與氟反應，或碳化硅與氟反應，或氟石與石油焦在電爐里反應，或二氟二氯甲1烷與氟化1氫反應，或四氯化1碳與氟化銀反應，或四氯1化碳與氟化1氫反應，都能生成四氟化1碳。吸入四氟1化碳的后果與濃度有關，包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心1血管系統的破壞(主要是心臟)。長時間接觸會導致嚴重的心臟破壞。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應離子刻蝕時，通過調節兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。

四氟化1碳一般認為是惰性低毒物質，在高濃度下是窒息劑，其毒性不及四氯1化碳。四氯1化碳與氟1化氫的反應在填有氫1氧化鉻的高溫鎳管中進行，反應后的氣體經水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分經精餾而得成品。預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中，向反應管內通入氟氣，氟氣先和單質硅反應。

吸入四氟化碳的后果與濃度有關，包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心1血管系統的破壞(主要是心臟)。長時間接觸會導致嚴重的心臟破壞。因為四氟化碳和四氟化1硅都是共價化合物，然而碳氟鍵的鍵能遠遠大于硅氟鍵的鍵能，鍵長也是前者短得多，所以四氟化碳的熱穩定性更好。含鎂大于2%的合金不能用。在高溫，一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長的次序由小到大地排列則如下：因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。

四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內，小白鼠仍可安全脫險。隨著芯片制程向7納米邁進，細微雜質對芯片的損害更為明顯，電子產業對高純電子氣體的純度要求進一步提高，在此背景下，我國高純四氟化碳生產技術與產品質量仍有提升空間。是微電子工業中用量大的等離子蝕刻氣體，高純氣高純氧的混合氣，可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻，在電子器件表面清洗、太陽能電池生產、激光技術、低溫制冷、泄漏檢驗、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。