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發布時間：2021-03-08 09:35
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制作電容器的常見材料
精度能達到0.5級，局放＜5pC@14.4kV，介質損耗＜0.1%，雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs，正負極性各 15 次。
一般來說，低壓電容器的原資料決議了其功能的體現和制造本錢及銷售價格，所以本文將具體評論下現在市面上常見的電容器產品的質料挑選狀況，關于電容器能有更好的了解。
資料一:固體電介質
一般電力電容器的固體介質為電容器紙，跟著電容器產業的不斷發展，塑料薄膜也被引進電容器的出產制造中，而且在近幾年薄膜介質的電力電容器現已逐漸成為電容器市場上的主流1產產品。它們的功能各有長處。電暈是由于在介質/電極層之間存在空隙而產生的，它除了可以產生損壞設備的寄生信號外，還會導致電容器介質擊穿。電容器紙e較大及浸漬功能好，所以一直被電容器選用，而塑料薄膜的技能越來越成熟,其長處也正在顯示出來。
由于紙和膜各有其特色.現在有的用紙、膜復合介質來制造電力電容器的資料也是市面上比較常見的一種做法.。
資料二:液體電介質
液體介質在電力電容器資猜中用作浸漬劑.以填充固體介質中的空地，然后進步介質的介電常數和耐電強度.改進局部放電特性和散熱條件等。 這幾年電容器資猜中挑選十二烷基ben、二芳荃乙2烷((S油)的產品也被廣泛應用。而蓖麻抽因e大，在脈沖電容器中得到了應用。在收音機高頻和中頻放大器，電視機高頻放大器中，采用這種中和電容電路，以消除自激。三氯聯ben電氣功能較 安穩.但由于它具有毒性而被淘汰. 。
資料三:電極材科
大部分的電極資料都是鋁箔，在并聯低壓電容器中，也 有用金屬化的方法作為電極 。這個沒有什么好講的,由于性價比的聯系,現在鋁箔現已被很多而且廣泛運用在電力電容器的出產資猜中.
嚴格控制運行電壓防止電容故障
并聯電容器的運行電壓，必須嚴格控制在允許范圍之內。即并聯電容器的長期運行電壓不得大于其額定電壓值的10%，運行電壓過高，將大大縮短電容器的使用壽命。隨著運行電壓的升高，并聯電容器的介質損耗將增大，使電容器溫度上升，加快了電容器絕緣的老化速度，造成電容器內絕緣過早老化、擊穿而損壞。此外，在過高的運行電壓作用之下，電容器內部的絕緣介質會發生局部老化，電壓越高，老化越快，壽命越短。隨著技術水平的發展，電子、家電、通訊等多個行業更新換代周期越來越短，而薄膜電容器憑借其良好的電工性能和高可靠性，成為推動上述行業更新換代不可或缺的電子元件。
并聯電容器長期運行電壓若高于其額定電壓的20%，其使用壽命將是正常情況的0.3倍左右。
所以，應根據當地電網運行電壓的實際情況，合理選擇額定電壓值，使其長期運行電壓不大于電容器額定電壓值的1.1倍，當然實際運行電壓過低也是十分不利的，因為并聯電容器所輸出的無功功率是與其運行電壓的平方成正比的。若運行電壓過低，將使電容器輸出的無功功率減少，無法完成無功補償的任務，失去了裝設并聯補償電容器應起的作用。3安裝時不應拉扯電容器出線瓷套，自愈式電容器，緊固螺栓時不應用力過猛，以防掰斷電容器瓷套的接線柱。所以在實際運行中，一定要設法使并聯電容器的運行電壓長期保持在其額定電壓的95%～105%，較高運行電壓不得大于其額定電壓值的110%
電容器的投切方式二
精度能達到0.5級，局放＜5pC@14.4kV，介質損耗＜0.1%，雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs，正負極性各 15 次
電子式無觸點可控硅投切電容器裝置（TSC）可控硅投切電容器，是利用了電子開關反應速度快的特點。采用過零觸發電路，檢測當施加到可控硅兩端電壓為零時，發出觸發信號，可控硅導通。此時電容器的電壓與電網電壓相等，因此不會產生合閘涌流，解決了接觸器合閘涌流的問題。但是，可控硅在導通運行時，可控硅結間會產生一伏左右的壓降，通常15KVAR三角形接法的電容器，額定電流22A，則一個可控硅消耗功率約為22W。如以一個150KVAR電容柜來算，運行時可控硅投切裝置消耗的功率可達600W，而且都變成熱量，使機柜溫度升高。同時可控硅有漏電流存在，當未接電容時，即使可控硅未導通，其輸出端也是高電壓。優點：無涌流，無觸點，使用壽命長、維修少，投切速度快（5ms內）；若運行電壓過低，將使電容器輸出的無功功率減少，無法完成無功補償的任務，失去了裝設并聯補償電容器應起的作用。缺點：價格高為接觸器的3倍、投切速度0.5s左右
