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              發布時間:2021-08-17 04:15  

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              .●反饋光耦供電用12V供電,且取樣點在后級濾波電感前面更好。因為濾波電感前的波動更快的反映前端PWM的調制狀態,就算TL431的開啟程度是一定的,因為12V的波動可以讓光耦上反饋到的電流有微小的差異,在反饋環路一定的情況下,這個光耦供電取樣點的選擇更有利于動態響應和調整率的平衡控制。。●12V繞組應該放在更接近于初級繞組的地方。這樣更有效的確保12V的電壓變化比例更小,因為我們反饋采樣的是5V端,所以難控制的是12V的繞組。綜合這些將可以更好的控制這兩個繞組的平衡度。雖然不能做到的好,但是相對的來說是有一定參考價值的。




              PCB尺寸過大時,印制線條長,阻抗增加,抗噪聲能力下降,成本也增加;過小則散熱不好,且鄰近線條易受干擾。電路板的形狀矩形,長寬比為3:2或4:3,位于電路板邊緣的元器件,離電路板邊緣一般不小于2mm。(2) 放置器件時要考慮以后的焊接,不要太密集.(3) 以每個功能電路的核心元件為中心,圍繞它來進行布局。元器件應均勻、 整齊、緊湊地排列在PCB上,盡量減少和縮短各元器件之間的引線和連接, 去耦電容盡量靠近器件的VCC(4) 在高頻下工作的電路,要考慮元器件之間的分布參數。一般電路應盡可能使元器件平行排列。這樣,不但美觀,而且裝焊容易,易于批量生產。


              為了節約成本,公司并不讓我這樣做,因為套磁珠影響了成本,當即NG掉此PCB布局,采用圖一a方式PCB關鍵布局走線。 變壓器繞法不變:Np1→VCC→Ns1→Ns2→銅屏蔽0.9Ts→NpPCB關鍵布局:Y電容地→變壓器地→大電容地注:變壓器內部的初級出線及次級出線有交叉圖一a (115Vac) 圖一a可以看出,改變PCB布局后130M-200M已經完全被衰減,但是30-130M沒有圖一效果好,可能變壓器出線無交叉好一些。仔細觀察,此IC具有抖頻功能,傳導部分頻段削掉了一些尖峰;


              圖一b(230Vac) 圖一b可以看到,輸入電壓在230Vac測試時,65M和83M位置有點頂線(紅色線)圖一b-1(230Vac) 原邊吸收電容由471P加大到102P,65M位置壓下來一點,后面還是有點高,如圖一b-1所示; 圖一b-2(230Vac) 變壓器屏蔽改成線屏蔽(0.2*1*30Ts),后面完全衰減,如圖一b-2; 圖一b-3(115Vac) 115Vac輸入測試,后面150M又超了,發克!高壓好了低壓又不行,惱火啊!看來這招不行; 圖一b-4(115Vac) 變壓器屏蔽還是換成銅箔屏蔽(圈數由0.9Ts改成1.3Ts),效果不錯,如圖一b-4所示。 圖一b-5(230Vac) 115Vac輸入測試,測試通過。結論:一:變壓器出線需做到不交叉;二:Y電容回路走線越短越好先經過變壓器地再回到大電容地,不與其它信號線交叉;