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SiC所具有的高導熱性、高強度、熱膨脹低、與爐渣難以反映等優良特性被作為爐渣反應和高溫剝落嚴重部位耐火材料的主要原料使用。

隨著SiC加入量的增加其抗渣性能有一定的提高。SiC在高溫下的氧化是SiC質耐火材料損毀室溫主要原因，根據熱力學計算，SiC在高溫下氧化氣氛下的不穩定是十分顯著的，然后它卻可以在1600℃的氧化氣氛下長期使用，著很大程度上是由于形成SiO2保護膜的結果。

第三代半導體材料，主要代表碳化硅和氮化相對于前兩代半導體材料而言，在高溫、高壓、高頻的工作環境下有著明顯的優勢。

碳化硅早在1842年就被發現了，直到1955年才開發出生長高品質碳化硅晶體材料的方法，1987年商業化生產的的碳化硅才進入市場，21世紀后碳化硅的商業應用才算鋪開。

與硅相比，碳化硅具有更高的禁帶寬度，禁帶寬度越寬，臨界擊穿電壓越大，高電壓下可以減少所需器件數目。具有高飽和電子飄逸速度，制作的元件開關速度大約是硅的3-10倍，高壓條件下能高頻操作，所需的驅動功率小，電路能量損耗低。具有高熱導率，可減少所需的冷卻系統，也更適用于高功率場景下的使用，一般的硅半導體器件只能在100℃以下正常運行，器件雖然能在200℃以上工作，但是效率大大下降，而碳化硅的工作溫度可達600℃，具有很強的耐熱性。并且混合SIC器件體積更小，工作損耗的降低以及工作溫度的上升使得集成度提高，體積減小。

除了用燒結法制造碳化硅制品以外，自從發明了熱壓燒結技術以后，碳化硅制品也可以用熱壓法制造，并且可以獲得更優良的燒結性能。熱壓工藝是把坯料的成型和燒成結合為一個過程，即坯料在高溫同時又在壓力下一次成型并燒結。這種方法在冶金工業中用于粉末冶金已有數十年的歷史，在特種耐火材料工業生產中已經逐步推廣應用。采用熱壓成型燒結，可以縮短制造時間，降結溫度，改善制品的顯微結構，增加制品的致密度，提高材料的性能。選擇適當的溫度、壓力和坯料粒度等熱壓工藝條件，就可達到優良的熱壓效果。熱壓工藝對難熔化合物的制造特別有用。熱壓用的模具因為既要經受1000℃以上的高溫，并且還要在高溫下承受數kN的壓力，因此，對制造難熔化合物制品一般均用高強度石墨作模具。