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發布時間：2021-07-08 06:06
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光刻膠的主要技術參數
1．靈敏度（Sensitivity）
靈敏度是衡量光刻膠曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量越小。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
2．分辨率（resolution）
區別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。
光刻膠的分辨率是一個綜合指標，影響該指標的因素通常有如下3個方面：
(1) 曝光系統的分辨率。
(2) 光刻膠的對比度、膠厚、相對分子質量等。一般薄膠容易得到高分辨率圖形。
(3) 前烘、曝光、顯影、后烘等工藝都會影響光刻膠的分辨率。
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光刻膠成分介紹
以下內容由賽米萊德為您提供，今天我們來分享光刻膠的相關內容，希望對同行業的朋友有所幫助！
光刻開始于-種稱作光刻膠的感光性液體的應用。 圖形能被映射到光刻膠上,然后用一個developer就能做出需要的模板圖案。 光刻膠又稱光致抗蝕劑，以智能管感光材料,在光的照射與溶解度發生變化。
光刻膠成份
光刻膠通常有三種成分:感光化合物、基體材料和溶劑。在感光化合物中有時還包括增感劑。根據光刻膠按照如何響應紫外光的性可以分為兩類:負性光刻膠和正性光刻膠。
1、負性光刻膠
主要有聚酯膠和環化橡膠系兩大類，前者以柯達公司的KPR為代表,后者以OMR系列為代表。
2、正性光刻膠
主要以重氮醌為感光化合物，以酚醛樹脂為基體材料。常用的有AZ- 1350系列。正膠的主要優點是分辨率高,缺點是靈敏度、而刻蝕性和附著性等較差。
光刻膠的特點
1、在光的照射下溶解速率發生變化,利用曝光區與非曝光區的溶解速率差來實現圖形的轉移;
2、溶解抑制/溶解促進共同作用;
3、作用的機理因光刻膠膠類型不同而不同;
光刻膠的應用
光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一，特別是近年來大規模和超大規模集成電路的發展，更是大大促進了光刻膠的研究開發和應用。印刷工業是光刻膠應用的另一重要領域。
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