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              靜電除塵高壓陶瓷電容器廠信賴推薦「多圖」

              發布時間:2020-12-28 12:22  

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              電容器:創新才有未來

              可靠性高,體積小,充放電壽命長,電壓高達150kV,放電電流大,介質損耗<0.1%。

              從上世紀80年代的彩電國產化開始,到今天家電的普及,我國的電容器產業得到了飛速的發展,在數量、質量、服務等方面充分滿足了各類電子整機發展的需求,并帶動了相關的材料行業、設備行業、儀器儀表行業的發展。目前,我國已成為全球電容器生產大國和消費大國,產量位居全球第1,銷售額位居全球第二。通常,這類開關被用來限制機械運動的位置或行程,使運動機械按一定位置或行程自動停止、反向運動、變速運動或自動往返運動等。

              我國電子信息產業已成為工業部門中增長速度快、產業規模較大、外貿出口較多、效益位居前列的重要支柱產業。在產品銷售收入、工業增加值、利稅總額、進出口總額等方面,電子元件以約12%的比例同步增長,這為電容器行業的發展提供了一個堅實的基礎。

              前瞻產業研究院《中國電容器行業產銷需求與投資預測分析報告》顯示,我國的信息產業已具備了向更高層次發展的基礎。隨著電子信息技術進一步向社會和經濟領域的全1面滲透和越來越多的電子技術在走融合的道路,電子信息產品發展必然越來越快,市場進一步擴大,產品沿著一條從滿足一般需求到人性化需求,再到個性化要求的道路發展。這些電路常采用鉭電容來降低紋波,但鉭電容有可能受到開關穩壓器的噪聲影響而產生不安全的瞬變現象。





              電容器在電源中的應用之浪涌電壓保護

              開關頻率很高的現代功率半導體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影響。跨接在功率半導體器件兩端的浪涌電壓保護電容器(如EPCOSB32620-J或B32651..56)通過吸收電壓脈沖限制了峰值電壓,從而對半導體器件起到了保護作用,使得浪涌電壓保護電容器成為功率元件庫中的重要一員。半導體器件的額定電壓和電流值及其開關頻率左右著浪涌電壓保護電容器的選擇。由于這些電容器承受著很陡的DV/DT值,因此,對于這種應用而言,薄膜電容器是恰當之選。高壓陶瓷電容器的可靠性測驗,也叫老化測驗,壽數測驗,包含很多方面的測驗內容:1、串聯電阻測驗,絕緣電阻測驗。

              在額定電壓值高達2000VDC的條件下,典型的電容額定值在470PF~47NF之間。對于大功率的半導體器件,如IGBT,電容值可高達2.2ΜF,電壓在1200VDC的范圍內。不能僅根據電容值/電壓值來選擇電容器。在選擇浪涌電壓保護電容器時,還應考慮所需的DV/DT值。耗散因子決定著電容器內部的功率耗散。前瞻產業研究院電容器行業研究小組表示,片式化、小型化、復合化、高精度化、高性能化、一致性好、可靠性高、零缺陷是當今世界電子元件的發展趨勢。因此,應選擇一個具有較低損耗因子的電容器作為替換。





              高壓陶瓷的作用

              高壓陶瓷電容器,即使用在電力系統中的高壓陶瓷電容器,一般如電力系統的計量,儲能,分壓等產品中,都會用到高壓陶瓷電容器。高壓陶瓷電容器的作用主要分為送電、配電系統的電力設備和處理脈沖能量的設備。

              因為電力系統的特殊性1:交流電壓高,高頻,處于室外環境中(-40度到 60度),雷擊電壓/電流大,等等各種因素,造成了高壓陶瓷電容器在研發和生產中一直處于困境:環境的惡劣,要求電容具有超1強的穩定性,即變化率要小;具有先進的防干擾措施,防止按鍵誤動作,全自動補償,不受環境溫濕度影響。同時,計量,儲能,分壓等產品要求高精密度,這對處于這種環境下的高壓陶瓷電容器的局放,即局部放電量有著極為苛刻的要求:局放為零。

              在大功率、高壓領域使用的高壓陶瓷電容器,要求具有小型、高耐壓和頻率特性好等特點。近年來隨著材料、電極和制造技術的進步,高壓陶瓷電容器的發展有長足的進展,并取得廣泛應用。高壓陶瓷電容器已成為大功率高壓電子產品不可缺少的元件之一。







              電容器在yilaio器械中選型及應用

              高壓電弧防護電容解決方案

              為解決這一問題,Vishay推出了一系列的HVArc(高壓電弧)防護MLCC(多層貼片陶瓷電容),可防止電弧放電,同時節省空間。這些新器件在較高的電壓定額內具有較大容量,并且提高了電壓擊穿的耐受能力。高壓電弧放電會造成斷路,并有可能損壞其他元器件。標準的高壓SMD電容終將會失效短路,這取決于電弧放電的次數和存在問題的部分。Vishay HVArc防護電容可以吸收所有的能量,因此,此電容能夠在高壓下進行正常工作,至少在達到高壓擊穿極限之前,不會產生破壞性電弧放電。開關頻率很高的現代功率半導體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影響。

              HVArc防護電容的VBD分布由器件采用的獨特設計來控制,VBD可達3kV或以上。本產品采用了NPO和X7R電介質。





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