中山亞克力鏡片加工源頭直供廠家【延銘標牌】

標牌電蝕刻問題

1.不銹鋼(300系列)在中會鈍化,不會腐蝕.面鹽酸和會造成不銹鋼的腐蝕,優以HF為重.

2.蝕刻不銹鋼用NaCl()水溶液就可以,黃銅可以考慮用NaCl和NaNo3(鈉)混合溶液.

3.蝕刻鋁牌與其它金屬一樣,不存在的電蝕比化學蝕刻快,電蝕對小面積細線條的圖案,按每次一塊與化學蝕刻相絲,要快5-10倍(看蝕刻液配方及蝕刻頭形狀,陰陽極間距,蝕刻溫度,電源波形),但化學蝕刻一次蝕刻的面積可能要較電刻大幾十或數百倍(如用PCB機),所以這種說法不準確!此方法所使用的溶液為二價銅,不是氨-銅蝕刻,它將有可能被用在印制電路工業中。

蝕刻液的 PH 值﹕

堿性蝕刻液的 PH 值較高時﹐側蝕會增大。 為了減少側蝕﹐PH 值一般應控制在 8.5 以下。 蝕刻液的密度﹕ 堿性蝕刻液的密度太低會加重側蝕﹐選用高銅濃度的蝕刻液對減少側蝕非常有利。④用噴淋式蝕刻機蝕刻用數個噴水頭從上向下噴淋蝕刻液，金屬板放在下邊的傳送帶上向前走，控制好速度，走出后即蝕刻完畢。 銅箔厚度﹕ 要達到小側蝕的細導線的蝕刻﹐采用（超）薄銅箔。 而且線寬越細﹐銅箔厚度應越 薄。 因為, 銅箔越薄在蝕刻液中的時間會越短﹐側蝕量就越小。 2. 提高基板與基板之間蝕刻速率的一致性 在連續的板蝕刻中﹐蝕刻速率的一致性越高﹐越能獲得蝕刻均勻的板。 要達到這一 個要求﹐必須保證蝕刻液在蝕刻的整個過程始終保持在很好的蝕刻狀態。

化學蝕刻（Chemical etching）-- 氣態物質（中性原子團）與表面反應， 產物必定易揮發，也稱為等離子蝕刻。 等離子增強蝕刻(Ion-enhanced etching)—單獨使用中性原子團不能形成易揮發產物，具有一定 能量的離子改變襯底或產物；具有一定能量的離子改變襯底或產物層，這樣，化學反應以后 能生成揮發性物質，亦稱為反應離子蝕刻（RIE） 。 濺射蝕刻（Sputter etching）--具有一定能量的離子機械的濺射襯底材料。結合得不好，可能使保護層在蝕刻過程中脫落，最終會導致文字、圖案等出現變形甚至模糊。 蝕刻速率（Etch rate）--材料的剝離速率，通常以?/min，?/sec，nm/min, um/min 為單位計 量。 各向同性蝕刻（ Isotropic etch）-- 蝕刻速率在所有方向都是相同的。

一、二槽酸液蝕刻 Glass 材料時設置的溫度、速度、需根據酸液的濃度及材料導電層附著力的強弱而調節,以能完 全蝕刻、不短路為原則并配合堿段的參數；而蝕刻則是一種有意識、有選擇性的，為達到預期目的而實施的一種刻意行為。 b.同時生產前需做首件檢測原材料方阻,方阻需在要求范圍之內才可正常生產； c.兩槽酸液流量要適中范圍； d.如出現刻不斷等其它的現象時請優先調整各階段的速度以 1.5 為基準往上調或往下調； e.酸槽的速度必須小于不等于堿槽的速度。 （2）堿洗、脫膜(Glass)