化拋劑價格性價比出眾「昆山韓鋁」

電化學拋光原理電化學拋光也稱電解拋光。電解拋光是以被拋工件為陽極，不溶性金屬為陰極，兩極同時浸入到電解槽中，通以直流電而產生有選擇性的陽極溶解，從而使工件表面光亮度增大，達到鏡面效果。

工藝流程化學(或電化學)除油→熱水洗→流動水洗→除銹(10%硫酸)→流動水洗→化學拋光→流動水洗→中和→流動水洗→轉入下道表面處理工序工作環境：傳統拋光工藝工作環境惡劣，拋光過程中產生沙粒，鐵屑，粉塵等，嚴重污染環境；.加工效率：人工拋光；豪克能工藝屬于以車代磨，線速度可達50-80 m/min,進給量可達0.2-0.5mm/r,相當于半精車的效率。鋪料消耗：拋光需要消耗拋光輪、磨料、砂帶等輔料；適應性：拋光可以加工平面等簡單的型面，對于曲面無法加工。如果加工R弧，曲面等復雜型面，可采用豪克能拋光工藝。

1、本拋光液在其使用初期會產生泡沫，因此拋光液液面與拋光槽頂部之間的距離不應≥15cm；2、 不銹鋼工件在進入拋光槽之前應盡可能將殘留在工件表面的水分除去，因工件夾帶過多水分有可能造成拋光面出現麻點，局部浸蝕而導致工件報廢；3、在電解拋光過程中，作為陽極的不銹鋼配件，因其所含的鐵、鉻元素不斷轉變為金屬離子溶入拋光液內而不在陰極表面沉積。隨著化學反應的進行，金屬離子濃度會不斷增加，當達到一定濃度后，這些金屬離子以磷酸鹽和硫酸鹽形式從拋光液內沉淀析出，沉降于拋光槽底部。因此拋光液必須定期過濾，去除這些固體沉淀物；4、在拋光槽反應過程中，除磷酸、硫酸不斷消耗外，水分因蒸發和電解而損失，此外，高粘度拋光液不斷被工件夾帶損失，拋光液液面不斷下降，需經常往拋光槽補加拋光液和水；5、本產品中和后排放符合當今環保要求

半導體行業CMP技術還廣泛的應用于集成電路(IC)和超大規模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業的急速發展，對拋光技術提出了新的要求，傳統的拋光技術（如：基于淀積技術的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術。