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發布時間:2020-12-31 10:42  
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含鎂大于2%的合金不能用。在高溫,一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長的次序由小到大地排列則如下:因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。四氟化1碳是目前微電子工業中用量大的等離子蝕刻氣體,其高純氣及四氟化1碳高純氣配高純氧氣的混合體,可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。將其通過裝有氫1氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟1化硅,隨后通過硅膠和五氧1化二磷干燥塔得到終產品。由于化學穩定性極強,CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業等。
四氟化碳是一種造成溫室效應的氣體。它非常穩定,可以長時間停留在大氣層中,是一種非常強大的溫室氣體。因為四氟化碳和四氟化1硅都是共價化合物,然而碳氟鍵的鍵能遠遠大于硅氟鍵的鍵能,鍵長也是前者短得多,所以四氟化碳的熱穩定性更好。將其通過裝有氫1氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟化1硅,隨后通過硅膠和五1氧化二磷干燥塔得到終產品。由于化學穩定性極強,CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業等。
四氟化碳在900℃時,不與銅、鎳、鎢、鉬反應,僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時,會分解產生有毒氟化物。以活性炭與氟為原料經氟化反應制備。在裝有活性炭的反應爐中,緩緩通入高濃氟氣,并通過加熱器加熱、供氟速率和反應爐冷卻控制反應溫度。反應放熱后,氟開始和碳化硅進行反應,通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,使反應繼續進行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。
預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中,向反應管內通入氟氣,氟氣先和單質硅反應。含鎂大于2%的合金不能用。在高溫,一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長的次序由小到大地排列則如下:因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。反應放熱后,氟開始和碳化硅進行反應,通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,使反應繼續進行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。