離子束刻蝕機價格常用指南

離子屬刻蝕機的注意事項

創世威納——專業離子束刻蝕機供應商，我們為您帶來以下信息。

#.在設備工作時,禁止扶、靠設備，禁止觸摸高頻電纜和線圈，以免發生意外

#.高頻電源實際使用功率不能超過較大限制#.檢查設備時，必須關機后切斷電源

#. 工作場地必須保持清潔、干燥，設備上及設備周圍不得放置無關物品，特別是易1燃、易1爆物品

#.長期停放時注意防潮，拆除電源進線，每隔3-5天開一次機，保證反應室真空以免被污 染

#.設備停機、過夜也要保持反應室真空，如停機較長時間后再進行刻蝕工藝，需先進行一次空載刻蝕，再刻蝕硅片

離子束刻蝕

離子束刻蝕也稱為離子銑，是指當定向高能離子向固體靶撞擊時,能量從入射離子轉移到固體表面原子上，如果固體表面原子間結合能低于入射離子能量時，固體表面原子就會被移開或從表面上被除掉。通常離子束刻蝕所用的離子來自惰性氣體。離子束較小直徑約10nm，離子束刻蝕的結構較小可能不會小于10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達100nm以下，少的達到10nm，獲得較小線寬12nm的加工結果。相比電子與固體相互作用，離子在固體中的散射效應較小，并能以較快的直寫速度進行小于50nm的刻蝕，故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術的另一優點是在計算機控制下的無掩膜注入，甚至無顯影刻蝕，直接制造各種納米器件結構。但是，在離子束加工過程中，損傷問題比較突出，且離子束加工精度還不容易控制，控制精度也不夠高。

想要了解更多離子束刻蝕的相關信息，歡迎撥打圖片上的熱線電話！

刻蝕工藝過程

以下內容由創世威納為您提供，今天我們來分享刻蝕工藝過程的相關內容，希望對同行業的朋友有所幫助！

等離子體刻蝕工藝包括以下六個步驟。 分離： 氣體由等離子體分離為可化學反應的元素； 擴散： 這些元素擴散并吸附到硅片表面； 表面擴散：到達表面后， 四處移動； 反應： 與硅片表面的膜發生反應； 解吸： 反應的生成物解吸， 離開硅片表面； 排放： 排放出反應腔。