磁控濺射機價格值得信賴「沈陽鵬程」

雙靶磁控濺射鍍膜系統

設備用途：

用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。同時設備具有反濺射清洗功能，以提高膜的質量和牢固度。

設備組成

系統主要由濺射真空室、永磁磁控濺射靶（2個靶）、單基片加熱臺、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統、真空測量、電控系統及安裝機臺等部分組成。

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磁控濺射介紹

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用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便。這是因為靶（陰極），等離子體和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體（如陶瓷），則回路斷了。主要用途：用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強的電容，這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時接地技術很復雜，因而難大規模采用。為解決此問題，發明了磁控反應濺射。就是用金屬靶，加入氣和反應氣體如氮氣或氧氣。當金屬靶材撞向零件時由于能量轉化，與反應氣體化合生成氮化物或氧化物。

磁控濺射——濺射技術介紹

直流濺射法：直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導體材料，不適于絕緣材料。濺射真空室1套，立式上開蓋結構，尺寸不小于Ф300mm×300mm，全不銹鋼結構，弧焊接，表面進行電化學拋光，內含防污內襯，可內烘烤到100～150℃，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封，腔體內有照明系統6。因為轟擊絕緣靶材時，表面的離子電荷無法中和，這將導致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機會將變小，甚至不能電離，導致不能連續放電甚至放電停止，濺射停止。故對于絕緣靶材或導電性很差的非金屬靶材，須用射頻濺射法（RF）。

濺射過程中涉及到復雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發生彈性碰撞，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子；通過調整磁控管與基片之間的距離，可以獲得想要的均勻度和沉積速度。某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘（對于金屬是5-10 eV），從而從晶格點陣中被碰撞出來，產生離位原子；這些離位原子進一步和附近的原子依次反復碰撞，產生碰撞級聯；當這種碰撞級聯到達靶材表面時，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結合能（對于金屬是1-6eV），這些原子就會從靶材表面脫離從而進入真空。

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自動磁控濺射系統概述

帶有水冷或者加熱(可加熱到700度)功能，大到6'旋轉平臺，可支持到4個偏軸平面磁控管。靶材和輝光之間為電壓降區域，給正離子提供足夠能量的電場，正離子加速轟擊到靶材上，使靶材的物質濺射出來，沉積到基體上（兩側的長線）。系統配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7 Torr，15分鐘內可以達到10-6 Torr的真空。通過調整磁控管與基片之間的距離，可以獲得想要的均勻度和沉積速度。

帶有14”立方形不銹鋼腔體，4個2”的磁控管，DC直流和RF射頻電源。 在選配方面，350 l/s渦輪分子泵，額外的磁控管和襯底加熱功能。