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發(fā)布時間：2021-09-29 01:16
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IGBT半導體器件測試系統(tǒng)的主要應(yīng)用領(lǐng)域概括如下：
?半導體元器件檢測中心——應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可擴大檢測中心的檢測范圍、提高檢測效率，提升檢測水平，增加經(jīng)濟效益；
?半導體元器件生產(chǎn)廠 —— 應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可對半導體元器件生產(chǎn)線的成品進行全參數(shù)的測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的合格率；
?電子電力產(chǎn)品生產(chǎn)、檢修廠——應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可對所應(yīng)用到的半導體元器件，尤其對現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；
?航天、領(lǐng)域 ——— 應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可對所應(yīng)用到的元器件，尤其對現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；
技術(shù)要求
3.1整體技術(shù)指標
3.1.1 功能與測試對象
*1）功能
GBT模塊動態(tài)參數(shù)測試。
*2）測試對象
被測器件IGBT模塊動態(tài)參數(shù)。測試溫度范圍 Tj=25°及125°。
3.1.2 IGBT模塊動態(tài)測試參數(shù)及指標
測試單元對IGBT模塊和FRD的動態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足國際標準IEC60747-9以及IEC60747-2。
以下參數(shù)的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動回路參數(shù)下進行。
安全工作區(qū)測試負載電感
?電感量 1mH 、10mH、50mH、100mH
?電流 通過選擇不同檔位電感，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）
?瞬態(tài)電壓 大于10kV
?負載電感 配備自動切換開關(guān)，可分別接通不同電感值，由計算機控制自動接通；自動切換開關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。
5）補充充電回路限流電感
限制充電回路中的di/dt。
?電感量 100μH
?電流能力 6000A （5ms）
?瞬時耐壓 10kV
?工作溫度室溫～40℃
?工作濕度 <70%
3.1開通時間Ton測試原理框圖 圖3-1開通時間測試原理框圖 其中：Vcc 試驗電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測器件（實際起作用的是器件中的續(xù)流二極管） L 負載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測器件 開通時間定義（見下圖）：柵極觸發(fā)信號第二個脈沖上升的10%到集電極電流IC上升到10%的時間間隔為開通延遲時間td （on） ，集電極電流IC上升的10%到90%的時間間隔即為電流上升時間tr ，則ton= td （on） tr
