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              真空磁控濺射鍍膜設備廠家專業團隊在線服務 沈陽鵬程真空技術

              發布時間:2020-12-16 18:22  

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              磁控濺射的種類介紹

              磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點:利用磁場與電場交互作用,使電子在靶表面附近成螺旋狀運行,從而增大電子撞擊氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

              靶源分平衡式和非平衡式,平衡式靶源鍍膜均勻,非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜,非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同,大致可分為平衡態磁控陰極和非平衡態磁控陰極。平衡態磁控陰極內外磁鋼的磁通量大致相等,兩極磁力線閉合于靶面,很好地將電子/等離子體約束在靶面附近,增加了碰撞幾率,提高了離化效率,因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電,靶材利用率相對較高。目前該系列有基本型、旗艦型、豪華型、尊享型4種不同配置可供選擇,可以根據客戶的不同需求進行配置,比較靈活。

              但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面,基片區域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術,即讓磁控陰極外磁極磁通大于內磁極,兩極磁力線在靶面不完全閉合,部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區域,從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片,增加基片磁控濺射區域的等離子體密度和氣體電離率。不管平衡還是非平衡,若磁鐵靜止,其磁場特性決定了一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率,可采用旋轉磁場。但旋轉磁場需要旋轉機構,同時濺射速率要減小。旋轉磁場多用于大型或貴重靶,如半導體膜濺射。對于小型設備和一般工業設備,多用磁場靜止靶源。抽氣機組及閥門、管道1套,包含1臺進口復合分子泵及變頻控制電源(680L/s,德國普發Hipace700分子泵)。

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              雙靶磁控濺射鍍膜機的特點有哪些?

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              產品特點

              1:此款鍍膜儀配置有兩個靶槍:一個靶槍配套的是射頻電源,用于非導電靶材的濺射鍍膜;一個靶槍配套的是直流電源,用于導電材料的濺射鍍膜

              2:該鍍膜儀可以制備多種不同材料的薄膜,應用非常廣泛。

              3:該鍍膜儀體積較小,且配備有觸摸屏控制面板,操作方便。



              濺射鍍膜

              濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面,使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術。通常,利用低壓惰性氣體輝光放電來產生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成,基片作為陽極,真空室中通入0.1-10Pa的氣或其它惰性氣體,在陰極(靶)1-3KV直流負高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產生輝光放電。電離出的離子轟擊靶表面,使得靶原子濺出并沉積在基片上,形成薄膜。濺射方法很多,主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應濺射等。而在高電壓和高氣壓下,盡管可以產生較多的離子,但飛向基片的電子攜帶的能量高,容易使基片發熱甚至發生二次濺射,影響制膜質量。

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              磁控濺射設備的主要用途

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              (1)各種功能性薄膜:如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如,低溫沉積氮化硅減反射膜,以提高太陽能電池的光電轉換效率。

              (2)裝飾領域的應用,如各種全反射膜及半透明膜等,如手機外殼,鼠標等。

              (3) 在微電子領域作為一種非熱式鍍膜技術,主要應用在化學氣相沉積(CVD)或金屬有機

              (4)化學氣相沉積(CVD)生長困難及不適用的材料薄膜沉積,而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。

              (5) 在光學領域:中頻閉合場非平衡磁控濺射技術也已在光學薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導電玻璃等方面得到應用。特別是透明導電玻璃廣泛應用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。

              (6)在機械加工行業中,表面功能膜、超硬膜,自潤滑薄膜的表面沉積技術自問世以來得到長足發展,能有效的提高表面硬度、復合韌性、耐磨損性和抗高溫化學穩定性能,從而大幅度地提高涂層產品的使用壽命。

              磁控濺射除上述已被大量應用的領域,還在高溫超導薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發光材料、太陽能電池、記憶合金薄膜研究方面發揮重要作用。



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