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發布時間:2020-10-20 19:16  
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磁控濺射介紹
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用磁控靶源濺射金屬和合金很容易,點火和濺射很方便。這是因為靶(陰極),等離子體和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體(如陶瓷),則回路斷了。另外,在設備結構設計方面,磁控濺射過程中,需要基材與靶材保持同軸,如果旋轉、直線運行的話,也要同軸旋轉、直線運行。于是人們采用高頻電源,回路中加入很強的電容,這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴,濺射速率很小,同時接地技術很復雜,因而難大規模采用。為解決此問題,發明了磁控反應濺射。就是用金屬靶,加入氣和反應氣體如氮氣或氧氣。當金屬靶材撞向零件時由于能量轉化,與反應氣體化合生成氮化物或氧化物。
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由于被濺射原子是與具有數十電子伏特能量的正離子交換動能后飛濺出來的,因而濺射出來的原子能量高,有利于提高沉積時原子的擴散能力,提高沉積組織的致密程度,使制出的薄膜與基片具有強的附著力。
濺射時,氣體被電離之后,氣體離子在電場作用下飛向接陰極的靶材,電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下,產生的離子數目少,靶材濺射效率低;而在高電壓和高氣壓下,盡管可以產生較多的離子,但飛向基片的電子攜帶的能量高,容易使基片發熱甚至發生二次濺射,影響制膜質量。而在高電壓和高氣壓下,盡管可以產生較多的離子,但飛向基片的電子攜帶的能量高,容易使基片發熱甚至發生二次濺射,影響制膜質量。另外,靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加,因而被散射到整個腔體,既會造成靶材浪費,又會在制備多層膜時造成各層的污染。
濺射鍍膜的特點
濺射就是從靶表面撞擊出原子物質的過程。濺射產生的原子或分子沉積到基體(零件)表面的過程就是濺射鍍膜。
濺射鍍膜與真空鍍膜相比,有如下特點:
1.任何物質都可以濺射, 尤其是高熔點金屬、低蒸氣壓元素和化合物;
2.濺射薄膜與襯底的附著性好;
3.濺射鍍膜的密度高,孔少,膜層純度高;
4.膜層厚度可控性和重復性好。
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