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正性光刻膠

正性光刻膠

正性光刻膠也稱為正膠。正性光刻膠樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛，提供光刻膠的粘附性、化學抗蝕性，當沒有溶解存在時，線性酚醛樹脂會溶解在顯影液中，感光劑是光敏化合物，常見的是重氮萘醌（DNQ）。在曝光前，DNQ是一種強烈的溶解，降低樹脂的溶解速度。品牌產地型號厚度曝光應用加工特性Futurrex美國NR71-1000PY0。在紫外曝光后，DNQ在光刻膠中化學分解，成為溶解度增強劑，大幅提高顯影液中的溶解度因子至100或者更高。這種曝光反應會在DNQ中產生羧酸，它在顯影液中溶解度很高。正性光刻膠具有很好的對比度，所以生成的圖形具有良好的分辨率。

市場規模

中國半導體產業穩定增長，全球半導體產業向中國轉移。據WSTS和SIA統計數據，2016年中國半導體市場規模為1659.0億美元，增速達9.2%，大于全球增長速度（1.1%）。2016年中國半導體制造用光刻膠市場規模為19.55億元，其配套材料市場規模為20.24億元。預計2017和2018年半導體制造用光刻膠市場規模將分別達到19.76億元和23.15億元，其配套材料市場規模將分別達到22.64億元和29.36億元。放眼國際市場，光刻膠也主要被美國Futurrex的光刻膠、日本合成橡膠（JSR）、東京應化（TOK）、住友化學、美國杜邦、德國巴斯夫等化工寡頭壟斷。在28nm生產線產能尚未得到釋放之前，ArF光刻膠仍是市場主流半導體應用廣泛，需求增長持續性強。近些年來，全球半導體廠商在中國大陸投設多家工廠，如臺積電南京廠、聯電廈門廠、英特爾大連廠、三星電子西安廠、力晶合肥廠等。諸多半導體工廠的設立，也拉動了國內半導體光刻膠市場需求增長。

光刻膠去除

半導體器件制造技術中，通常利用光刻工藝將掩膜板上的掩膜圖形轉移到半導體結構表面的光刻膠層中。通常光刻的基本工藝包括涂膠、曝光和顯影等步驟。

在現有技術中，去除光刻膠層的方法是利用等離子體干法去膠。將帶有光刻膠層的半導體結構置于去膠機內，在射頻電壓的能量的作用下，灰化氣體被解離為等離子體。所述等離子體和光刻膠發生反應，從而將光刻膠層去除。

而在一些半導體器件設計時，考慮到器件性能要求，需要對特定區域進行離子注入，使其滿足各種器件不同功能的要求。一部分閃存產品前段器件形成時，需要利用前面存儲單元cell區域的層多晶硅與光刻膠共同定義摻雜的區域，由于光刻膠是作為高濃度金屬摻雜時的阻擋層，在摻雜的過程中，光刻膠的外層吸附了一定濃度的金屬離子，這使得光刻膠外面形成一層堅硬的外殼。江蘇博硯電子科技有限公司董事長宗健表示，光刻膠要真正實現國產化，難度很大。

這層堅硬的外殼可以采取兩種現有方法去除:方法一，采用濕法刻蝕，但這種工藝容易產生光刻膠殘留；顯示器，OLEDs，波導(waveguides)，VCSELS，成像，電鍍，納米碳管，微流體，芯片倒裝等方面。方法二，先通過干法刻蝕去除硬光刻膠外殼，再采用傳統的干法刻蝕去光刻膠的方法去除剩余的光刻膠的方法，但是這種方式增加了一步工藝流程，浪費能源，而且降低了生產效率；同時，傳統的光刻膠干法刻蝕去除光刻膠時，光刻膠外面的外殼阻擋了光刻膠內部的熱量的散發，光刻膠內部膨脹應力增大，導致層多晶硅倒塌的現象。