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              OPTM反射率測試優(yōu)選企業(yè)“本信息長期有效”

              發(fā)布時間:2020-10-18 17:04  

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              測量示例:

              SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚測量

              半導(dǎo)體晶體管通過控制電流的導(dǎo)通狀態(tài)來發(fā)送信號,但是為了防止電流泄漏和另一個晶體管的電流流過任意路徑,有必要隔離晶體管,埋入絕緣膜。 SiO 2(二氧化硅)或SiN(氮化硅)可用于絕緣膜。 SiO 2用作絕緣膜,而SiN用作具有比SiO 2更高的介電常數(shù)的絕緣膜,或是作為通過CMP去除SiO 2的不必要的阻擋層。之后SiN也被去除。 為了絕緣膜的性能和精準(zhǔn)的工藝控制,有必要測量這些膜厚度。



               










              使用顯微光譜法在微小區(qū)域內(nèi)通過絕i對反射率進行測量,可進行高i精度膜厚度/光學(xué)常數(shù)分析。

              可通過非破壞性和非接觸方式測量涂膜的厚度,例如各種膜、晶片、光學(xué)材料和多層膜。 測量時間上,能達到1秒/點的高速測量,并且搭載了即使是初次使用的用戶,也可容易出分析光學(xué)常數(shù)的軟件


              為了確保膜厚儀的安全操作,必須注意以下幾點:  ·始終按照操作手冊的要求操作膜厚儀;  ·不要損壞安全互鎖系統(tǒng)的任何元件,例如微動開關(guān)等等;  ·不要對膜厚儀做任何改變。

              考慮到表面粗糙度測量的膜厚值[FE-0007]

              當(dāng)樣品表面存在粗糙度(粗糙度)時,將表面粗糙度和空氣(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模擬為“粗糙層”,可以分析粗糙度和膜厚度。此處示例了測量表面粗糙度為幾nm的SiN(氮化硅)的情況。



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