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              NR7 6000PY光刻膠公司免費(fèi)咨詢 賽米萊德

              發(fā)布時(shí)間:2020-11-01 10:54  

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              負(fù)性光刻膠簡介

              感光樹脂經(jīng)光照后,在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應(yīng),使得這種材料的物理性能,特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)適當(dāng)?shù)娜軇┨幚恚苋タ扇苄圆糠郑玫剿鑸D像(見圖光致抗蝕劑成像制版過程)。光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及印刷制版等過程。光刻膠的技術(shù)復(fù)雜,品種較多。根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和顯影原理,可分負(fù)性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠;反之,對(duì)某些溶劑是不可溶的,經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。利用這種性能,將光刻膠作涂層,就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。基于感光樹脂的化學(xué)結(jié)構(gòu),光刻膠可以分為三種類型。①光聚合型,采用烯類單體,在光作用下生成自由基,自由基再進(jìn)一步引發(fā)單體聚合,后生成聚合物,具有形成正像的特點(diǎn)。②光分解型,采用含有疊氮醌類化合物的材料,經(jīng)光照后,會(huì)發(fā)生光分解反應(yīng),由油溶性變?yōu)樗苄裕梢灾瞥烧阅z。③光交聯(lián)型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開,并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián),形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),而起到抗蝕作用,這是一種典型的負(fù)性光刻膠。柯達(dá)公司的產(chǎn)品KPR膠即屬此類。感光樹脂在用近紫外光輻照成像時(shí),光的波長會(huì)限制分辨率(見感光材料)的提高。為進(jìn)一步提高分辨率以滿足超大規(guī)模集成電路工藝的要求,必須采用波長更短的輻射作為光源。由此產(chǎn)生電子束、X 射線和深紫外(<250nm)刻蝕技術(shù)和相應(yīng)的電子束刻蝕膠,X射線刻蝕膠和深紫外線刻蝕膠,所刻蝕的線條可細(xì)至1□m以下。

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              光刻膠的未來發(fā)展

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              由于光刻膠的技術(shù)壁壘較高,國內(nèi)光刻膠市場(chǎng)基本被國外企業(yè)壟斷。特別是高分辨率的KrF和ArF光刻膠,基本被日本和美國企業(yè)占據(jù)。  

              國內(nèi)光刻膠生產(chǎn)商主要生產(chǎn)PCB光刻膠,面板光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模相對(duì)較小。國內(nèi)生產(chǎn)的光刻膠中,PCB光刻膠占比94%,LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠占比分別僅有3%和2%。

              國內(nèi)光刻膠需求量遠(yuǎn)大于本土產(chǎn)量,且差額逐年擴(kuò)大。由于國內(nèi)光刻膠起步晚,目前技術(shù)水平相對(duì)落后,生產(chǎn)產(chǎn)能主要集中在PCB光刻膠、TN/STN-LCD光刻膠等中低端產(chǎn)品,TFT-LCD、半導(dǎo)體光刻膠等高技術(shù)壁壘產(chǎn)品產(chǎn)能很少,仍需大量進(jìn)口,從而導(dǎo)致國內(nèi)光刻膠需求量遠(yuǎn)大于本土產(chǎn)量。



              光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)

              1、分辨率:區(qū)別硅片表面相鄰圖形特性的能力,一般用關(guān)鍵尺寸來衡量 分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小,光刻膠的分辨率越好。

              2、對(duì)比度:指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。對(duì)比度越好,形成圖形的側(cè)壁越陡峭,分辨率越好。

              3、敏感度:光刻膠上產(chǎn)生一 個(gè)良好的圖形所需一 定波長的小能量值(或小曝光量)。單位:焦/平方厘米或mJ/cm2.光刻膠

              的敏感性對(duì)于波長更短的深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要。

              4、粘滯性/黏度:衡量光刻膠流動(dòng)特性的參數(shù)。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會(huì)產(chǎn)生厚的光刻膠;越小的

              粘滯性,就有越均勻的光刻膠厚度。

              5、粘附性:表征光刻膠粘著于襯底的強(qiáng)度。光刻膠的粘附性不足會(huì)導(dǎo)致硅片表面的圖形變形。

              6、抗蝕性:光刻膠必須保持它的粘附性,在后續(xù)的刻蝕I序中保護(hù)襯底表面。

              7、表面張力:液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力,使光刻膠具有良好的流動(dòng)性和覆蓋。

              8、存儲(chǔ)和傳送:能量可以啟動(dòng)光刻膠。應(yīng)該存儲(chǔ)在密閉、低溫、不透光的盒中。 同時(shí)必須規(guī)定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環(huán)境。

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