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　　潔凈室中的溫濕度控制

　　潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細，所以對溫度波動范圍的要求越來越小。例如在大規模集成電路生產的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數的差要求越來越小。直徑100um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間溫度不宜超過25度，濕度過高產生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結露，如果發生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。凈化空氣調節系統設計應合理利用回風，凡工藝過程產生大量有害物質且局部處理不能滿足衛生要求，或對其他工序有危害時，則不應用回風。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面難以清除。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發生擊穿。對于硅片生產濕度范圍為35—45%。

　　凈化工程解決方案：各種不同的加濕器的應用范圍不同：如：淋水、濕膜、高壓噴霧等水加濕器，其特點是加濕量大、投資費用低，而相對濕度控制精度較差，因此多用于相對濕度要求不嚴格(>±10%)，加濕量很大的工業廠房和一般舒適用空調房間的空調系統加濕。而相對濕度控制精度高的干蒸汽加濕和電極(電熱)式加濕因投資較高則多用在相對濕度精度要求嚴格的恒溫恒濕潔凈室的空調系統加濕中。5微米的粒子數不得超過3500000個，大或等于5微米的粒子數不得超過20000個。

凈化技術的設備發展

　　對于半導體設備來講，凈化工程技術在微電子技術中起著十分重要的作用。微電子技術的核心是集成電路，而集成電路的生產對其工藝環境和工藝流程中的凈化技術和設備提出了嚴格的要求。我國“九五”期間大力發展以微電子為重點的信息產業。參考兩個城市，一個試驗證實，相對濕度的3%的變異將使保護厚度改變59。凈化工程技術水平在某種意義上已成為衡量一個國家和地區科學技術水平和工業水平的一個重要標志。