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發布時間：2021-08-20 11:14
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磁控方箱生產線介紹
用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。
主要由真空室系統濺射室、靶及電源系統、樣品臺系統、真空抽氣及測量系統、氣路系統、電控系統、計算機控制系統及輔助系統等組成。
技術指標： 極限真空度6.7×10-5Pa，系統漏率：1×10-7PaL/S； 恢復真空時間：40分鐘可達6.6×10 Pa（短時間暴露 大氣并充干燥氮氣后開始抽氣）
鍍膜方式：磁控靶為直靶，向下濺射成膜； 樣品基片: 負偏壓 -200V
樣品轉盤：在基片傳輸線上連續可調可控，在真空下可輪流任意靶位互換工作。樣品轉盤由伺服電機驅動，計算機控制其水平傳遞；
可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統，計算機控制系統的功能：對位移和樣品公轉速度隨時間的變化做實時采集，對位移誤差進行計算，以曲線和數值顯示。樣品公轉速度對位移曲線可在線性和對數標度兩種顯示之間切換，可實現換位鍍膜。
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磁控濺射系統介紹
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真空泵和測量裝置：
低真空：干泵和convectron真空規
高真空：渦輪分子泵，低溫泵和離子規
5.控制系統：
硬件：PLC和計算機觸摸屏控制
自動和手動沉積控制
主要特點：
射頻電源：基底預先清洗和等離子體輔助沉積
溫度控制器：基底加熱
大面積基底傳送裝置
冷卻系統
磁控濺射鍍膜機導致不均勻因素哪些？
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原理上講，兩點：氣場和磁場
磁控濺射在0.4Pa的氣壓情況下離子撞擊靶材，濺射出粒子沉積到基材上，整體靶材的電壓幾乎一致，不影響濺射速率。
0.4Pa的氣場情況是濺射速率較高的情況，氣場變化，壓強變大和變小都會影響濺射速率。
磁場大，束縛的自由電子增多，濺射速率增大，磁場小，束縛的自由電子就少，濺射速率降低。
穩定住氣場和磁場，濺射速率也將隨之穩定。
在實際情況下，氣場穩定，需要設計布氣系統，將布氣系統分級布置，保障鍍膜機腔體內不同位置的進氣量相同，同時，布氣系統、靶材、基材等要遠離鍍膜機的抽氣口。需要穩定磁場，用高斯計測量靶材表面磁場強度，由于磁場線本身是閉合曲線，靶材磁場回路兩端磁場強度自然比中間位置強，可以選擇用弱磁鐵，同時，基材要避開無法調整的磁場變化較大的部分。濺射過程中涉及到復雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發生彈性碰撞，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子。
另外，在設備結構設計方面，磁控濺射過程中，需要基材與靶材保持同軸，如果旋轉、直線運行的話，也要同軸旋轉、直線運行。
