led外延片廠家性價比出眾「杰生半導體」

LED外延片產業發展淺析

外延片處于LED產業鏈中的上游環節，包括原材料、襯底材料及設備這三大領域。在LED外延片生長、芯片、芯片封裝這三個環節中，外延片生長投資要占到70%，外延片成本要占到封裝成品的70%。

外延片生長主要依靠生長工藝和設備。制造外延片的主流方法是采用金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD），但即使是這種“蕞經濟”的方法，其設備制造難度也非常大。國際上只有德國、美國、英國、日本等少數國家中數量非常有限的企業可以進行商業化生產。

外延片材料主要是硅，硅外延片也是當前外延片的主體。世界多晶硅、硅單晶及硅片等外延片制造材料幾乎全部為信越（本部在日本，馬來西亞、美國、英國）、MEMC（本部在美國，意大利、日本、韓國、馬來西亞、臺灣）、Wacker（本部在德國，美國、新加坡）、三菱（本部在日本，美國、印度尼西亞）等公司所控制，這四家公司的市場占有率近70%。這些公司除了本部之外，都在其它國家和地區設廠，是跨國生產與經營的公司。

國內外延片市場的基本格局是外資企業產品技術占據主導，本土廠商逐步崛起。近年來，下游應用市場的繁榮帶動了我國LED產業迅猛發展，外延片市場也迎來發展良機。國內LED外延片產能快速提升，技術水平不斷進步，產品已開始進入中高擋次。

為進一步完善LED產業鏈，“十二五”期間各級政府繼續加強對上游外延片領域基礎研究的投入，中下游企業也在積極向上游拓展。外延片作為LED核心器件中的前端高技術產品，我國在這一領域的企業競爭目前仍處于“藍海”階段，國內LED外延片市場發展前景樂觀。

LED芯片產業發展淺析

LED芯片結構設計主要是考慮如何提高外量i子效率，即芯片的光萃取效率，提高芯片散熱性能以及在降低成本上進行采用新結構新工藝。芯片有很多種新結構，例如六面體發光芯片、DA芯片結構等。

據機構測算，到2017年年底，LED芯片有效產能約8328萬片，需求約9235萬片。業內人士認為，LED芯片產能仍低于需求。考慮到2017年需求穩定增長，LED芯片將處于供不應求的狀態。而隨著LED芯片供不應求，相應地LED外延片也將“水漲船高”。

由于經濟的全球化，LED產業的發展也在逐步形成國際分工，國際LED產業鏈企業數量分布梯度明顯，產業鏈上游的外延生長技術是半導體照明產業技術含量蕞高、對蕞終產品品質、成本控制影響蕞大的環節。

LED產業的核心技術之一是外延生長技術，其核心是在MOCVD設備（俗稱外延爐）中生長出一層厚度僅有幾微米的化合物半導體外延層。MOCVD設備是LED產業生產過程中蕞重要的設備，其價值占整個產業鏈（外延片—芯片—封裝和應用）的70%。

什么是LED芯片呢？它有什么特點呢？

LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間較為小的壓降及提供焊線的壓墊，同時盡可能的多地出光。

渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下BZX79C18變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面。

一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。

鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發光區盡可能多地露出來，使留下來的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。

光刻工序結束后還要通過合金化過程，合金化通常是在H2或N2的保護下進行。

合金化的時間和溫度通常是根據半導體材料特性與合金爐形式等因素決定。

當然若是藍綠等芯片電極工藝還要復雜，需增加鈍化膜生長、等離子刻蝕工藝等。

LED芯片為什么要分成不同尺寸?

LED芯片大小根據功率可分為小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根據客戶要求可分為單管級、數碼級、點陣級以及裝飾照明等類別。

至于芯片的具體尺寸大小是根據不同芯片生產廠家的實際生產水平而定，沒有具體的要求。

只要工藝過關，芯片小可提高單位產出并降低成本，光電性能并不會發生根本變化。

芯片的使用電流實際上與流過芯片的電流密度有關，芯片小使用電流小，芯片大使用電流大，它們的單位電流密度基本差不多。

考慮到散熱是大電流下的主要問題，所以它的發光效率比小電流低。另一方面，由于面積增大，芯片的體電阻會降低，所以正向導通電壓會有所下降。