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光刻膠分類

市場上，光刻膠產品依據不同標準，可以進行分類。依照化學反應和顯影原理分類，光刻膠可以分為正性光刻膠和負性光刻膠。使用正性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相同；使用負性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相反。

按照感光樹脂的化學結構分類，光刻膠可以分為①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點；國外研究機構預測，PCB市場年復合增長率可達3%，到2020年，PCB全球市場規模將達到610億美元。②光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，其經光照后,發生光分解反應，可以制成正性膠；③光交聯型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠。

按照曝光波長分類，光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等?！秶壹呻娐樊a業發展推進綱要》，提出“研發光刻機、刻蝕機、離子注入機等關鍵設備，開發光刻膠、大尺英寸硅片等關鍵材料”。不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同，通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越小，加工分辨率越佳。

光刻工藝重要性二

光刻膠的曝光波長由寬譜紫外向g線→i線→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移動。隨著曝光波長的縮短，光刻膠所能達到的極限分辨率不斷提高，光刻得到的線路圖案精密度更佳，而對應的光刻膠的價格也更高。

光刻光路的設計，有利于進一步提升數值孔徑，隨著技術的發展，數值孔徑由0.35發展到大于1。相關技術的發展也對光刻膠及其配套產品的性能要求變得愈發嚴格。

工藝系數從0.8變到0.4，其數值與光刻膠的產品質量有關。結合雙掩膜和雙刻蝕等技術，現有光刻技術使得我們能夠用193nm的激光完成10nm工藝的光刻。

為了實現7nm、5nm制程，傳統光刻技術遇到瓶頸，EUV(13.5nm)光刻技術呼之欲出，臺積電、三星也在相關領域進行布局。EUV光刻光路基于反射設計，不同于上一代的折射，其所需光刻膠主要以無機光刻膠為主，如金屬氧化物光刻膠。

光刻膠京東方

事實上，我國是在缺乏經驗、缺乏專業技術人才，缺失關鍵上游原材料的條件下，全靠自己摸索。近年來，盡管光刻膠研發有了一定突破，但國產光刻膠還是用不起來。顯影完成后通常進行工藝線的顯影檢驗，通常是在顯微鏡下觀察顯影效果，顯影是否徹底、光刻膠圖形是否完好。目前，國外阻抗已達到15次方以上，而國內企業只能做到10次方，滿足不了客戶工藝要求和產品升級的要求，有的工藝雖達標了，但批次穩定性不好。

“10次方的光刻膠經過多次烘烤，由于達不到客戶需求的防靜電作用，不能應用到新一代窄邊框等面板上。而國外做到15次方就有了很好的防靜電作用。這還是我們的光刻膠材料、配方、生產工藝方面存在問題?！崩钪袕娬f。

關鍵指標達不到要求，國內企業始終受制于人。就拿在國際上具有一定競爭實力的京東方來說，目前已建立17個面板顯示生產基地，其中，有16個已經投產。但京東方用于面板的光刻膠，仍然由國外企業提供。