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發布時間：2021-09-18 21:27
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如圖所示，ASEMI肖特基二極管解剖圖放大后的芯片附近，在基片下邊形成N 陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調整結構參數，N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極)時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小;反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。
肖特基二極管分為有引線和表面安裝(貼片式)兩種封裝形式。 采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管(雙二極管)式兩種封裝形式。肖特基對管又有共陰(兩管的負極相連)、共陽(兩管的正極相連)和串聯(一只二極管的正極接另一只二極管的負極)三種管腳引出方式。
ASEMI肖特基二極管與普通二極管之間有什么區別？
肖特基二極管（Schottky）的特點是正向壓降 VF 比較小。
在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。
另外它的恢復時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏電流稍大些。比較適用大電流低電壓場合。
在高電壓整流電路應用時，還是應該選用普通PN結整流二極管。希望ASEMI可以幫助你！
關于肖特基二極管的應用，ASEMI總結出以下幾點：
肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低（0.4—1.0V）、反向恢復時間很短（0-10納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。
