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              NR9 3000PY光刻膠報價規格尺寸

              發布時間:2020-12-07 10:00  

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              光刻膠工藝

              主要用于半導體圖形化工藝,是半導體制造過程中的重要步驟。光刻工藝利用化學反應原理把事先制備在掩模上的圖形轉印到晶圓,完成工藝的設備光刻機和光刻膠都是占半導體芯片工廠資產的大頭。

              在目前比較主流的半導體制造工藝中,一般需要40 步以上獨立的光刻步驟,貫穿了半導體制造的整個流程,光刻工藝的先進程度決定了半導體制造工藝的先進程度。光刻過程中所用到的光刻機是半導體制造中的核心設備。目前,ASML 的NXE3400B售價在一億歐元以上,媲美一架F35 戰斗機。

              按曝光波長,光刻膠可分為紫外(300~450 nm)光刻膠、深紫外(160~280 nm)光刻膠、極紫外(EUV,13.5 nm)光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。按照應用領域的不同,光刻膠又可以分為印刷電路板(PCB)用光刻膠、液晶顯示(LCD)用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低,而半導體光刻膠代表著光刻膠技術先進水平。

              賽米萊德本著多年光刻膠行業經驗,專注光刻膠研發定制與生產,先進的光刻膠生產設備和技術,建立了嚴格的產品生產體系,想要更多的了解,歡迎咨詢圖片上的熱線電話!!!



              光刻膠分類

              光刻膠按其形成圖形的極性可以分為:正性光刻膠和負性光刻膠。正膠指的是聚合物的長鏈分子因光照而截斷成短鏈分子;負膠指的是聚合物的短鏈分子因光照而交鏈長鏈分子。 短鏈分子聚合物可以被顯影液溶解掉,因此正膠的曝光部分被去掉,而負膠的曝光部分被保留。

              賽米萊德以誠信為首 ,服務至上為宗旨。公司生產、銷售光刻膠,公司擁有強大的銷售團隊和經營理念。想要了解更多信息,趕快撥打圖片上的熱線電話!



              硅片模具加工如何選擇光刻膠呢?

              注意事項:

              ①若腐蝕液為堿性,則不宜用正性光刻膠;

              ②看光刻機型式,若是投影方式,用常規負膠時氮氣環境可能會有些問題

              ③負性膠價格成本低,正性膠較貴;

              ④工藝方面:負性膠能很好地獲得單根線,而正性膠可獲得孤立的洞和槽;

              ⑤健康方面:負性膠為有機溶液處理,不利于環境;正性膠屬于水溶液,對健康、環境無害。

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