陜西大功率IGBT測試儀現貨供應質量材質上乘【華科智源】

三、華科智源IGBT測試儀系統特征： A：測量多種IGBT、MOS管 B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣；2IGBT模塊動態測試參數及指標測試單元對IGBT模塊和FRD的動態參數及其他參數的定義滿足國際標準IEC60747-9以及IEC60747-2。 C：脈沖寬度 50uS~300uS D：Vce測量精度2mV E：Vce測量范圍>10V F：電腦圖形顯示界面 G：智能保護被測量器件 H：上位機攜帶數據庫功能 I：MOS IGBT內部二極管壓降 J : 一次測試IGBT全部靜態參數 K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位） L:可以進行不同曲線的對比，觀測同一批次產品的曲線狀態，或者不同廠家同一規格參數的曲線對比；

測試的IGBT參數包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導）、rCE（導通電阻）等全直流參數, 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內重復測試精度。賣方出廠試驗詳細方案應提前提交買方評估，通過買方評估合格后實施方可視為有效試驗。

半導體元件全自動測試系統，可以元件在真正工作狀態下的電流及電壓，并測量重要參數的數據，再與原出廠指標比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。等領域，使半導體開發技術人員在市場需求下，對大功率元件的發展技術，持續在突破。每個電流模塊，都具有獨立的供電系統，以便在測試時，提供內部電路及電池組充電之用； 可選購外部高壓模塊，執行關閉狀態參數測試如：各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。

主要參數 測試范圍 精度要求 測試條件

Vce

集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

柵極電荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

開通/關斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降時間 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

開通/關斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

11）動態測試續流二極管

用于防止測試過程中的過電壓。

?壓降小于1V

?浪涌電流大于20kA

?反向恢復時間小于2μs

?工作溫度 室溫～40℃

?工作濕度 <70%

12）安全工作區測試續流二極管

?浪涌電流 大于20kA

?反向恢復時間 小于2μS

?工作濕度 <70%

13）被測器件旁路開關

被測安全接地開關，設備不運行時，被測接地。

?電流能力 DC 50A

?隔離耐壓 15kV

?響應時間 150ms

?工作方式 氣動控制

?工作氣壓 0.4MPa

?工作濕度 <70%