浙江負(fù)性光刻膠報(bào)價(jià)詢問報(bào)價(jià)【賽米萊德】

NR9-3000PY負(fù)性光刻膠報(bào)價(jià)

三、光刻膠涂覆（Photoresist Coating）

光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前，先在900-1100度濕氧化。氧化層可以作為濕法刻蝕或B注入的膜版。章宇軒介紹,我們?cè)谌粘９ぷ魃钪校阅軓娘@示屏幕上看到色彩斑斕的畫面，就是離不開屏幕中厚度只有2μm、卻占面板成本16％的一層彩色薄膜。作為光刻工藝自身的首先過程，一薄層的對(duì)紫外光敏感的有機(jī)高分子化合物，即通常所說的光刻膠，要涂在樣品表面(SiO2)。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機(jī)中的樣品表面，(由真空負(fù)壓將樣品固定在樣品臺(tái)上)，樣品然后高速旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速由膠粘度和希望膠厚度確定。在這樣的高速下，膠在離心力的作用下向邊緣流動(dòng)。

涂膠工序是圖形轉(zhuǎn)換工藝中初的也是重要的步驟。涂膠的質(zhì)量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復(fù)性和接下去的顯影時(shí)間，同一個(gè)樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應(yīng)超過±5nm(對(duì)于1.5um膠厚為±0.3%)。

光刻膠的目標(biāo)厚度的確定主要考慮膠自身的化學(xué)特性以及所要圖形中線條的及間隙的微細(xì)程度。太厚膠會(huì)導(dǎo)致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。在工藝發(fā)展的早期，負(fù)膠一直在光刻工藝中占主導(dǎo)地位，隨著VLSIIC和2～5微米圖形尺寸的出現(xiàn)，負(fù)膠已不能滿足要求。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間，而對(duì)于特殊微結(jié)構(gòu)制造，膠厚度有時(shí)希望1cm量級(jí)。在后者，旋轉(zhuǎn)涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規(guī)光刻膠涂布工序的優(yōu)化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉(zhuǎn)速、環(huán)境溫度和濕度等，這些因素的穩(wěn)定性很重要。

在工藝發(fā)展的早期，負(fù)膠一直在光刻工藝中占主導(dǎo)地位，隨著VLSI IC和2～5微米圖形尺寸的出現(xiàn)，負(fù)膠已不能滿足要求。隨后出現(xiàn)了正膠，但正膠的缺點(diǎn)是粘結(jié)能力差。

用正膠需要改變掩膜版的極性，這并不是簡單的圖形翻轉(zhuǎn)。因?yàn)橛醚谀ぐ婧蛢煞N不同光刻膠結(jié)合，在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的，由于光在圖形周圍的衍射效應(yīng)，使得用負(fù)膠和亮場掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。光刻膠國內(nèi)的研發(fā)起步較晚光刻膠的研發(fā)，關(guān)鍵在于其成分復(fù)雜、工藝技術(shù)難以掌握。用正膠和暗場掩膜版組合會(huì)使光刻膠層上的圖形尺寸變大。

NR77-15000P

9，去膠:濕法去膠，用溶劑、用NONG硫酸。goodpr是大陸比較多公司采用的，但是Futurre光刻膠在國外是比較有名氣的，包括很多大型企業(yè)都有用，膜厚做的也比較厚從18um-200um都可以做到，看你對(duì)工藝的要求了。負(fù)膠，98%H2SO4 H2O2 膠=CO CO2 H2O,正膠：BIN酮,干法去膠（ash）氧氣加熱去膠O2 膠=CO CO2 H2O,等離子去膠Oxygenplasma ashing,高頻電場O2---電離O- O ,  O 活性基與膠反應(yīng)CO2，CO， H2O, 光刻檢驗(yàn)

NR9-3000PY

11．請(qǐng)教~有沒有同時(shí)可以滿足RIE

process 和Lift-off

process的光阻，謝謝！

A 我們推薦使用Futurrex

NR1-300PY來滿足以上工藝的需求。

12．Futurre光刻膠里，有比較容易去除的負(fù)光阻嗎？

A NR9-系列很容易去除，可以滿足去膠需要。

13．我們目前用干膜做窄板，解析度不夠，希望找到好的替代光阻？

A NR9-8000因?yàn)橛泻芨叩腁R比例，適合取代，在凸塊的應(yīng)用上也有很大的好處。

14．傳統(tǒng)的Color

filter 制程，每個(gè)顏色的烘烤時(shí)間要2-3個(gè)小時(shí)，有沒有更快的方法制作Coior

filter?

A 用于Silylation制程------烘烤時(shí)間只需要2分鐘，同時(shí)光阻不需要Reflow, 顏色也不會(huì)老化改變，只需要在Filter上面加熱溶解PR1-2000S光阻，Microlenses就能形成！

15．請(qǐng)問有專門為平坦化提供材料的公司嗎？

A 美國Futurrex公司，專門生產(chǎn)應(yīng)用化學(xué)品的，可以為平坦化的材料提供PC3-6000和PC4-1000都是為平坦化用途設(shè)計(jì)，臺(tái)灣企業(yè)用的比較多。

16．我需要一種可用于鋼板印刷的方式來涂布PROTECTIVE

COATING，那種適合？？

A 推薦美國Futurrex，PC4-10000。

17．臘是用來固定芯片的，但很難清洗干凈，哪里有可以替代的產(chǎn)品介紹下，謝謝？

A 我們公司是使用Futurrex

PC3-6000,可以替代的，而且去除比較容易，你可以試用下。

18．請(qǐng)問有沒有100微米厚襯底為鍍鎳硅并可用與MEMS應(yīng)用的光刻膠嗎？

A NR4-8000P可以做到140微米的厚度，并在鍍鎳的襯底上不會(huì)出現(xiàn)難去膠的問題，如果是其他非鍍鎳襯底NR9-8000P是適合的選擇。

19．誰有用在光波導(dǎo)圖案的光刻膠？是否可以形成角度為30度的側(cè)壁？

A 你必須實(shí)現(xiàn)通過逐步透光來實(shí)現(xiàn)掩膜圖案棱的印刷，NR4-8000P是專門為光波導(dǎo)圖案應(yīng)用進(jìn)行設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。

發(fā)展

Futurrex在開發(fā)產(chǎn)品方面已經(jīng)有很長的歷史

我們的客戶一直在同我們共同合作，創(chuàng)造出了很多強(qiáng)勢的專利產(chǎn)品。

在晶體管(transistor) ，封裝，微機(jī)電。顯示器，OLEDs，波導(dǎo)(waveguides) ，VCSELS，

成像，電鍍，納米碳管，微流體，芯片倒裝等方面。我們都已經(jīng)取得一系列的技術(shù)突破。

目前Futurrex有數(shù)百個(gè)專利技術(shù)在美國專利商標(biāo)局備案。

Futurrex 產(chǎn)品目錄

正性光刻膠

增強(qiáng)粘附性正性光刻膠

負(fù)性光刻膠

增強(qiáng)粘附性負(fù)性光刻膠

先進(jìn)工藝負(fù)性光刻膠

用于lift-off工藝的負(fù)性光刻膠

非光刻涂層

平坦化，保護(hù)、粘接涂層

氧化硅旋涂(spin-on glas)

摻雜層旋涂

輔助化學(xué)品

邊膠清洗液

顯影液

去膠液

Futurrex所有光刻產(chǎn)品均無需加增粘劑(HMDS)